SIS776DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備40A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐。在中低壓工作條件下，其低導通電阻有效降低導通損耗，提升能效表現。適用于對開關速度與熱性能有較高要求的電源管理、直流-直流轉換及負載開關等電路場合，能夠支持穩定、高效的電力控制功能。
