AON7202L_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為4mΩ，顯著降低導通損耗。器件在高電流密度下仍能維持較低溫升，適用于高效率電源轉換、電池管理系統、電機驅動及各類高頻開關電路。其低阻抗特性有助于提升系統整體能效，并減少對散熱結構的依賴。
