NTMFS4841NHT3G_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買(mǎi)>-------
該N溝道MOSFET具有80A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至4.7mΩ，在柵源電壓高達(dá)20V的條件下可穩(wěn)定運(yùn)行。其超低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，提升整體能效，適用于高效率電源模塊、大電流開(kāi)關(guān)電路以及對(duì)熱性能和空間布局要求較高的電子系統(tǒng)。器件具備良好的開(kāi)關(guān)特性，適合在高頻操作環(huán)境中實(shí)現(xiàn)精確控制與高效能量轉(zhuǎn)換。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
