FDMS3016DC_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有80A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，在導(dǎo)通狀態(tài)下其導(dǎo)通電阻低至4.7毫歐，柵源驅(qū)動(dòng)電壓最高可達(dá)20V。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)性能，適用于對(duì)效率和熱管理要求較高的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。其低RDS(ON)有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效，同時(shí)支持高頻操作，便于在緊湊型電路布局中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的功率控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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