BSC059N03ST_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備80A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻為4.7毫歐，柵源電壓額定值達(dá)20V。其較低的導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及各類需要大電流處理能力的電子設(shè)備。器件在高頻開(kāi)關(guān)條件下仍能保持穩(wěn)定性能，適合對(duì)熱管理和能效有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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