DMN3032LQ-13-HXY_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET的連續(xù)漏極電流為5.8A，最大漏源電壓為30V，在典型工作條件下導(dǎo)通電阻低至22毫歐。器件具備較低的導(dǎo)通損耗和良好的開(kāi)關(guān)特性，適用于對(duì)效率和熱性能有要求的電源轉(zhuǎn)換、電池管理及便攜式電子設(shè)備中的功率控制功能。其參數(shù)組合使其在中等電流負(fù)載下能夠穩(wěn)定運(yùn)行，并有助于簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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