NTMFS4943NT3G_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有80A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至4.7毫歐，柵源驅(qū)動(dòng)電壓（VGS）最大可達(dá)20V。器件在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)通性能和較低的功率損耗，適用于對(duì)效率和熱管理要求較高的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高頻開關(guān)電路等場(chǎng)景。其低導(dǎo)通電阻有助于減小導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗，提升系統(tǒng)整體能效。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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