NVD4810NT4G-TB01_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7毫歐。在高電流工作條件下，其較低的導通電阻有助于有效控制功率損耗與溫升，適用于對效率和熱管理有要求的電源轉換及配電系統。該器件可廣泛用于開關電源、便攜式設備供電模塊以及需要頻繁開關操作的電子電路中，提供穩定可靠的性能表現。
