XP3N5R0YT_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:70A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有70A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.5毫歐。器件在高電流負載下仍能保持較低的導通損耗，適用于對效率和熱性能要求較高的電源管理、電機驅(qū)動及開關(guān)電源等應用場景。其低阻抗特性有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)整體能效，同時緊湊的結(jié)構(gòu)便于在空間受限的電路布局中集成。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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