AON7702B_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有35A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。器件在中等電流應用中表現出良好的導通特性和熱穩定性，適用于對體積和效率有要求的電源管理場景。典型用途包括便攜式電子設備的電源開關、多相供電系統中的負載切換，以及需要頻繁啟停或脈沖工作的電路結構，能夠在保持較低功耗的同時實現可靠的開關性能。
