DMN3032L-13-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流為5.8A，最大漏源電壓為30V，導通電阻為22毫歐。其參數組合適用于中等功率應用場景，在保證一定電流承載能力的同時，兼顧開關效率與功耗控制。器件適合用于電源管理模塊、負載開關、便攜設備供電系統以及對空間和熱耗有約束的電子裝置中，能夠支持穩定可靠的開關操作。
