DMN3023L-7-HXY_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET的漏源電壓（VDSS）為30V，連續(xù)漏極電流（ID）達(dá)5.8A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為22毫歐。器件在低電壓應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通損耗，適用于對(duì)效率和熱性能有一定要求的電路。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括電源開關(guān)、電池保護(hù)、DC-DC轉(zhuǎn)換器及各類消費(fèi)電子產(chǎn)品中的功率控制模塊，其電氣特性有助于維持系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行并優(yōu)化能效表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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