GSF3404_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.8A的連續(xù)漏極電流（ID），在導通狀態(tài)下其導通電阻（RDS(ON)）典型值為22毫歐。器件采用標準封裝結(jié)構(gòu)，適用于對效率和熱性能有一定要求的電源管理、負載開關(guān)及電池供電類應(yīng)用場合。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統(tǒng)整體能效，同時穩(wěn)定的電氣特性可保障在多種工作條件下的可靠運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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