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BAS70-04Q-13-F_SOT-23_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:0.2A 參數(shù)2：VR:70V 參數(shù)3：VF:1.25V 參數(shù)4：IR:2.5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該肖特基二極管采用串聯(lián)式結(jié)構(gòu)，額定正向電流為0.2A，最大反向電壓為70V。其正向壓降為1.25V，在70V反向電壓下漏電流僅為2.5μA，展現(xiàn)出良好的反向阻斷特性和較低的導(dǎo)通損耗。器件可承受高達(dá)2A的峰值正向浪涌電流，適用于對(duì)耐壓能力有一定要求的整流、箝位、信號(hào)解調(diào)及電源保護(hù)等電路。串聯(lián)配置有助于在單一封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的反向電壓承受能力，便于緊湊型電路設(shè)計(jì)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

BAS70-04Q-13-F_SOT-23_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：肖特基二極管 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:0.2A 參數(shù)2：VR:70V 參數(shù)3：VF:1.25V 參數(shù)4：IR:2.5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：肖特基二極管最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：IF:0.2A 參數(shù)2：VR:70V 參數(shù)3：VF:1.25V 參數(shù)4：IR:2.5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)