SI2372DS-T1-GE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.8A的連續漏極電流（ID），在標準驅動條件下導通電阻（RDS(ON)）為22毫歐。其電氣特性適用于中等功率的開關應用場景，如便攜式電子設備的電源管理、負載開關及同步整流等電路。較低的導通電阻有助于控制功耗與溫升，同時支持較高的開關頻率，適合對體積和效率有一定要求的電子系統。
