GBJ3510_GBJ_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBJ 類別：整流橋 最小包裝：250盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.05V@12.5A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 30A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 350A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
描述: 這款GBJ封裝的高性能整流橋，專為高功率、大電流應用場合打造。具備1000V的卓越反向電壓額定值（VR），確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運行。其特色在于，在12.5A工作電流下正向壓降VF低至1.05V，有效提升電源轉換效率并降低功耗。更值得關注的是，器件擁有強大的瞬態(tài)峰值電流承載能力高達30A（IO），確保在極端條件下仍能提供卓越的性能表現(xiàn)。適用于各類需要處理極高電流強度及高電壓的電路設計，是您構建高效、可靠電源系統(tǒng)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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