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搞高壓電路的看過來！超結(jié)和SiC MOS管的區(qū)別與選擇科普

隨著SiC襯底尺寸向6英寸升級、超結(jié)工藝持續(xù)優(yōu)化，兩類器件的競爭將愈發(fā)激烈。合科泰推出超結(jié)MOS管HKTS13N65實現(xiàn)650V高耐壓，可顯著降低導(dǎo)通損耗。對于工程師來說，選擇不僅是技術(shù)參數(shù)的比拼，更是對當(dāng)下性價比與未來技術(shù)紅利的權(quán)衡，既要滿足當(dāng)前項目的成本與性能要求，也要為未來的技術(shù)迭代預(yù)留空間。

2025-11-20 閱讀：1272 關(guān)鍵詞：高壓功率器件，超結(jié) MOS 管，碳化硅 MOS 管，性能成本平衡，選型決策

合科泰TOLL4封裝超結(jié)MOS管：功率密度突破的系統(tǒng)方案

在功率電子設(shè)備向小型化、高效化發(fā)展的當(dāng)下，合科泰TOLL4封裝是超結(jié)MOS管HKTS13N65，憑借超結(jié)工藝與TOLL4封裝的協(xié)同優(yōu)化，成為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)等領(lǐng)域提升功率密度的核心選擇。這款N溝道功率器件實現(xiàn)650伏耐壓與13安培連續(xù)電流的平衡，采用超結(jié)工藝讓VGS為10伏時的導(dǎo)通電阻低至300毫歐，比傳統(tǒng)平面MOS管顯著降低導(dǎo)通損耗。

2025-11-20 閱讀：787 關(guān)鍵詞：合科泰 HKTS13N65 超結(jié)MOS管 TOLL4封裝功率密度

合科泰新品HKTD100N03：12V系統(tǒng)功率控制的精準解決方案

如BMS、電機控制、電力開關(guān)的12V系統(tǒng)對低內(nèi)阻MOS管的需求正增速增長，工程師們迫切需要兼顧大電流承載與小型化設(shè)計的解決方案。而HKTD100N03這款采用TO-252封裝的N溝道MOS管，以30V耐壓、100A連續(xù)電流和3.5mΩ的低導(dǎo)通電阻，成為12V功率控制的核心選擇，正在重塑12V系統(tǒng)的功率控制范式。

2025-11-19 閱讀：698 關(guān)鍵詞： HKTD100N03 N溝道MOS管 12V系統(tǒng) 功率控制合科泰

MOS管失效機理與防護設(shè)計：從案例分析到工程實踐

工程師在設(shè)計電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動或負載開關(guān)電路時，最常遇到的突發(fā)故障可能是MOS管的突然失效。沒有明顯的前期征兆，卻讓整個電路停擺，甚至影響產(chǎn)品批量良率。近期，我們的FAE團隊協(xié)助客戶解決了一起SOT-23封裝的AO3400型號MOS管擊穿失效的案例，過程中梳理出MOS管最常見的失效原因，以及如何從原理層面規(guī)避這些問題。

2025-11-18 閱讀：857 關(guān)鍵詞： MOS管失效失效原因失效規(guī)避合科泰電路設(shè)計

合科泰新推出TOLL4封裝MOS管：12V/24V高電流系統(tǒng)的性能解決方案

在如BMS、電機控制、負載開關(guān)的12V/24V電源系統(tǒng)中，高電流容量、低損耗與可靠性是核心需求，合科泰新推出的HKTS190N03與HKTS190N04的TOLL4封裝MOS管，正是針對這類場景的高性能解決方案。兩款產(chǎn)品均采用TOLL4-6R封裝，連續(xù)漏極電流達190A，覆蓋30V/20V電壓等級，通過工藝與參數(shù)的差異化設(shè)計，滿足不同應(yīng)用的電路需求。

2025-11-13 閱讀：918 關(guān)鍵詞： HKTS190N03 MOS管 12V/24V電源系統(tǒng) BMS系統(tǒng)

合科泰新推出ESOP-8封裝MOS管適配高速風(fēng)筒

高速風(fēng)筒作為高頻使用的家電產(chǎn)品，其電源電路、電機驅(qū)動電路及輔助回路對MOS管的性能要求差異顯著。合科泰針對高速風(fēng)筒的電路特性，推出5N50ER慢恢復(fù)MOS管與5N50ES快恢復(fù)MOS管，通過針對性的性能設(shè)計，實現(xiàn)不同電路場景下的精準適配，平衡性能與成本。合科泰借針對性的性能設(shè)計，精準匹配高速風(fēng)筒不同電路的需求，為工程師提供靈活的選擇方案。

2025-11-12 閱讀：1151 關(guān)鍵詞：高速風(fēng)筒 MOS管 5N50ER慢恢復(fù)MOS管 5N50ES快恢復(fù)MOS管合科泰

車規(guī)級vs工業(yè)級元器件：核心差異與選型邏輯深度解析

隨著汽車智能化ADAS、自動駕駛與工業(yè)自動化機器人、PLC控制的快速普及，電子元器件的等級之分逐漸成為產(chǎn)品設(shè)計的核心考量。車規(guī)級與工業(yè)級元器件看似都是高可靠的代表，但實際上在標準、環(huán)境適應(yīng)力、壽命等維度存在本質(zhì)差異。今天我們從技術(shù)底層與應(yīng)用場景出發(fā)，用科普的方式講透二者的核心區(qū)別，幫你理清選型的底層邏輯。

2025-11-10 閱讀：1706 關(guān)鍵詞：車規(guī)級元器件工業(yè)級元器件標準差異應(yīng)用場景選型邏輯

合科泰SOT-23封裝MOS管：手機背光驅(qū)動高效率、小空間、低成本的平衡方案

合科泰SOT-23封裝MOS管系列為手機背光驅(qū)動應(yīng)用提供了完整的解決方案，通過優(yōu)化的電氣性能、簡化的驅(qū)動設(shè)計和優(yōu)異的可靠性，有效解決了當(dāng)前手機背光驅(qū)動面臨的效率、成本和空間挑戰(zhàn)。這些產(chǎn)品不僅滿足了現(xiàn)有應(yīng)用需求，更為未來更大屏幕、更高亮度的手機顯示技術(shù)發(fā)展提供了可靠的技術(shù)支持。

2025-11-06 閱讀：1891 關(guān)鍵詞：手機背光驅(qū)動電路合科泰MOS管 SOT - 23封裝驅(qū)動應(yīng)用可靠性驗證

合科泰650V高壓MOS管HKTD7N65：為工業(yè)電源與電機驅(qū)動注入高可靠性

在工業(yè)電源、電機驅(qū)動及照明系統(tǒng)等高壓應(yīng)用場景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65，憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導(dǎo)通電阻，為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。

2025-11-05 閱讀：1400 關(guān)鍵詞：合科泰HKTD7N65 高壓MOS管 SGT工藝工業(yè)應(yīng)用國產(chǎn)替代

不只是價簽：選擇 MOS 管時，如何規(guī)避隱藏的質(zhì)量風(fēng)險？

在元器件選型與采購的決策過程中，許多團隊往往將“單價”視為首要考量指標。然而，一顆不起眼的MOS管，其背后所關(guān)聯(lián)的遠不止是采購成本，更關(guān)乎整個產(chǎn)品的可靠性、壽命與品牌聲譽。忽視隱藏的質(zhì)量風(fēng)險，可能最終付出遠超預(yù)期的代價。

2025-11-04 閱讀：1054 關(guān)鍵詞： MOS管采購 MOS管質(zhì)量風(fēng)險規(guī)避合科泰 MOS管工藝與質(zhì)量

封測：連接芯片設(shè)計與應(yīng)用的最后一公里

封測已從附屬環(huán)節(jié)升級為技術(shù)高地。隨著5G、AI、自動駕駛等新興應(yīng)用的興起，對封測技術(shù)提出了更高要求：更高頻率支持毫米波等高頻應(yīng)用，更低功耗適應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的長續(xù)航需求，更高集成實現(xiàn)更多功能的系統(tǒng)級集成，更智能的測試引入AI算法優(yōu)化測試效率。合科泰以專業(yè)的封測能力，為芯片搭建起從設(shè)計到應(yīng)用的最后一公里。我們不僅提供標準的封裝測試服務(wù)，更能根據(jù)客戶需求提供定制化的封測解決方案，助力客戶產(chǎn)品快速上市并贏得

2025-11-04 閱讀：1695 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體封測封裝技術(shù) 測試技術(shù) 合科泰封測未來展望

車規(guī)級不是標簽，從AEC-Q標準看懂汽車元器件的生存底線

車規(guī)級不是 “高端標簽”，而是汽車元器件的 “生存底線”。合科泰作為專業(yè)分立器件制造商，深耕車規(guī)級與工業(yè)級元器件領(lǐng)域，通過 IATF16949 汽車行業(yè)質(zhì)量管理體系認證，引進全自動化生產(chǎn)設(shè)備，實現(xiàn)固晶、焊線、測試一體化流程；擁有耐高壓、抗浪涌車規(guī)級電阻（涵蓋 0402 至 2512 封裝，）、涵蓋包括TO-252和PDFN5×6多種封裝的工業(yè)級 MOS 管等產(chǎn)品。合科泰把可靠性寫入每一顆元器件

2025-10-27 閱讀：2565 關(guān)鍵詞：車規(guī)級元器件 AEC-Q標準車規(guī)級本質(zhì) 合科泰工業(yè)級元器件