mos管也稱場(chǎng)效應(yīng)管,這個(gè)器件有兩個(gè)電極,一個(gè)是金屬,另一個(gè)是extrinsic silicon(外在硅),他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE,而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。MOSFET是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管(利用電場(chǎng)控制電流),由金屬氧化物半導(dǎo)體制成,是目前使用最廣泛的生產(chǎn)技術(shù)。在功率MOSFET領(lǐng)域,碳化硅(SiC)也被使用,因?yàn)樗请娫础⒛孀兤骱推渌麘?yīng)用所需的更高性能和效率的理想選擇。東芝多年來一直致力于MOSFET的開發(fā)和生產(chǎn),我們廣泛的低中高耐壓設(shè)備產(chǎn)品線具有低損耗、高速度、低導(dǎo)通電阻和小封裝等特點(diǎn)—適合各種應(yīng)用的MOSFET。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質(zhì))。器件有一個(gè)輕摻雜P型硅做成的backgate。這個(gè)MOS 電容的電特性能通過把backgate接地,gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場(chǎng)。在器件中,這個(gè)電場(chǎng)使金屬極帶輕微的正電位,P型硅負(fù)電位。這個(gè)電場(chǎng)把硅中底層的電子吸引到表面來,它同時(shí)把空穴排斥出表面。這個(gè)電場(chǎng)太弱了,所以載流子濃度的變化非常小,對(duì)器件整體的特性影響也非常小。