中文字幕大香视频蕉免费丨国产精无久久久久久久免费丨亚洲色大成成人网站久久丨网站黄在线丨把少妇弄高潮了www麻豆丨极品少妇xxxx精品少妇小说丨国产成人免费看一级大黄丨伊人激情丨狠狠插av丨久久综合九色欧美综合狠狠丨国产成人8x视频网站入口丨天堂av资源丨国产九一精品丨av网天堂丨久久久久久久久久久免费av丨免费看国产zzzwww色丨国产 日韩 欧美 制服丝袜丨日本黄色录相丨久久精品99久久久久久2456丨亚洲精品无码人妻无码丨黄色免费视频丨三级毛片国产三级毛片丨亚洲精品久久午夜麻豆丨亚洲网站免费观看丨日本三级全黄少妇三2020

歡迎訪問深圳市中小企業(yè)公共服務(wù)平臺(tái)電子信息窗口

深圳市佰泰盛世科技有限公司

創(chuàng)新型中小企業(yè)

聯(lián)系人:馬中原

聯(lián)系電話:15817302460

聯(lián)系地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道新天下承運(yùn)大廈4樓4158

  • 輸出電容的ESR與紋波抑制:陶瓷電容/電解電容的頻響特性的對(duì)比

    輸出電容的ESR與紋波抑制:陶瓷電容/電解電容的頻響特性的對(duì)比

    在開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等高頻電力電子系統(tǒng)中,輸出電容的等效串聯(lián)電阻(ESR)與紋波抑制能力直接決定電源的穩(wěn)定性與壽命。陶瓷電容與電解電容作為兩大主流選擇,其頻響特性與壽命表現(xiàn)存在顯著差異。本文從ESR的物理本質(zhì)、頻響特性、紋波抑制機(jī)制及壽命影響因素四個(gè)維度展開對(duì)比分析,揭示二者在高頻濾波場(chǎng)景中的協(xié)同應(yīng)用邏輯。
    2025-12-18 閱讀:941 關(guān)鍵詞: 陶瓷電容 電解電容 ESR 紋波抑制 頻響特性 協(xié)同應(yīng)用
  • MOS管應(yīng)用中,常見的各種‘擊穿’現(xiàn)象

    MOS管應(yīng)用中,常見的各種‘擊穿’現(xiàn)象

    mos管也稱場(chǎng)效應(yīng)管,這個(gè)器件有兩個(gè)電極,一個(gè)是金屬,另一個(gè)是extrinsic silicon(外在硅),他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE,而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。MOSFET是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管(利用電場(chǎng)控制電流),由金屬氧化物半導(dǎo)體制成,是目前使用最廣泛的生產(chǎn)技術(shù)。在功率MOSFET領(lǐng)域,碳化硅(SiC)也被使用,因?yàn)樗请娫础⒛孀兤骱推渌麘?yīng)用所需的更高性能和效率的理想選擇。東芝多年來一直致力于MOSFET的開發(fā)和生產(chǎn),我們廣泛的低中高耐壓設(shè)備產(chǎn)品線具有低損耗、高速度、低導(dǎo)通電阻和小封裝等特點(diǎn)—適合各種應(yīng)用的MOSFET。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質(zhì))。器件有一個(gè)輕摻雜P型硅做成的backgate。這個(gè)MOS 電容的電特性能通過把backgate接地,gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場(chǎng)。在器件中,這個(gè)電場(chǎng)使金屬極帶輕微的正電位,P型硅負(fù)電位。這個(gè)電場(chǎng)把硅中底層的電子吸引到表面來,它同時(shí)把空穴排斥出表面。這個(gè)電場(chǎng)太弱了,所以載流子濃度的變化非常小,對(duì)器件整體的特性影響也非常小。
  • 音頻瞬態(tài)如何處理

    音頻瞬態(tài)如何處理

    多音樂制作人在混音時(shí)都會(huì)遇到一個(gè)問題:明明樂器、人聲都錄得不錯(cuò),混出來卻總覺得 底鼓渾濁聽不清,軍鼓軟趴沒爆發(fā)力,人聲輔音模糊沒質(zhì)感。其實(shí),你可能忽略了一個(gè)關(guān)鍵細(xì)節(jié):音頻瞬態(tài)。 作為聲音開頭那幾毫秒的 “能量爆發(fā)”,瞬態(tài)直接決定了聲音的沖擊力、清晰度和靈動(dòng)感。無論是激進(jìn)的電子鼓點(diǎn),還是柔和的氛圍音效,搞定瞬態(tài),就能讓你的音樂質(zhì)感翻倍。本文從基礎(chǔ)概念到實(shí)戰(zhàn)技巧,手把手教你搞定不同場(chǎng)景、不同流派的瞬態(tài)處理,新手也能輕松上手
    2025-12-17 閱讀:664 關(guān)鍵詞: 音頻瞬態(tài) 混音 處理技巧 音樂流派 聽覺感受
  • 200W 以上功放芯片應(yīng)用介紹和發(fā)展趨勢(shì)

    200W 以上功放芯片應(yīng)用介紹和發(fā)展趨勢(shì)

    200W 以上功放芯片主要通過拓?fù)鋬?yōu)化、高功率器件、強(qiáng)化散熱及集成保護(hù)實(shí)現(xiàn),TI 和 ST 均有針對(duì)性型號(hào),后續(xù)將向 “高效材料 + 高度集成 + 超低低耗” 方向發(fā)展。
  • GaN(氮化鎵)與硅基功放芯片的優(yōu)劣勢(shì)解析及常見型號(hào)

    GaN(氮化鎵)與硅基功放芯片的優(yōu)劣勢(shì)解析及常見型號(hào)

    GaN(氮化鎵)屬于寬禁帶半導(dǎo)體(禁帶寬度 3.4 eV),硅基材料(硅)為傳統(tǒng)半導(dǎo)體(禁帶寬度 1.1 eV),二者在功放芯片中的性能差異源于材料物理特性
    2025-12-16 閱讀:1542 關(guān)鍵詞: GaN功放芯片 硅基功放芯片 優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比 氮化鎵
  • 預(yù)補(bǔ)償方法以減少Class D功率放大器的爆裂噪聲

    預(yù)補(bǔ)償方法以減少Class D功率放大器的爆裂噪聲

    Class D功率放大器在音頻系統(tǒng)中被廣泛使用。 然而,在放大器啟動(dòng)或關(guān)閉時(shí),以及在靜音 / 取消靜音 切換期間,揚(yáng)聲器中經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)爆裂聲或點(diǎn)擊聲。這些 噪音可能會(huì)被聽到,并使用戶感到不適。在音頻系統(tǒng)中 靜音功率放大器是避免在啟動(dòng)或關(guān)閉期間出現(xiàn)爆裂聲的有效方法。此外,音頻系統(tǒng)有時(shí)播放音樂,有時(shí)停止播放,這需要頻繁地靜音或取消靜音放大器。因此,爆裂聲是頻繁靜音和取消靜音控制的關(guān)鍵問題。本文討論了 靜音 / 取消靜音過渡期間爆裂聲的發(fā)生原因,并設(shè)計(jì)了 相應(yīng)的方法來抑制這些噪音。 簡(jiǎn)介 高效率和小尺寸的特點(diǎn)使 Class D 功率放大器非常 適合用于高功率音頻系統(tǒng)。圖 1 是使用 Class D 功率放大器的典型音頻系統(tǒng)。音頻處理器將音頻信號(hào)傳送到功率放大器,同時(shí)它還可以控制功率放大器的啟動(dòng)和關(guān)閉。
  • 為什么要進(jìn)行芯片測(cè)試以及分別在什么階段進(jìn)行

    為什么要進(jìn)行芯片測(cè)試以及分別在什么階段進(jìn)行

    芯片測(cè)試是一個(gè)比較大的問題,直接貫穿整個(gè)芯片設(shè)計(jì)與量產(chǎn)的過程中。首先芯片fail可以是下面幾個(gè)方面: 功能fail,某個(gè)功能點(diǎn)點(diǎn)沒有實(shí)現(xiàn),這往往是設(shè)計(jì)上導(dǎo)致的,通常是在設(shè)計(jì)階段前仿真來對(duì)功能進(jìn)行驗(yàn)證來保證,所以通常設(shè)計(jì)一塊芯片,仿真驗(yàn)證會(huì)占用大約80%的時(shí)間。 性能fail,某個(gè)性能指標(biāo)要求沒有過關(guān),比如2G的cpu只能跑到1.5G,數(shù)模轉(zhuǎn)換器在要求的轉(zhuǎn)換速度和帶寬的條件下有效位數(shù)enob要達(dá)到12位,卻只有10位,以及l(fā)na的noise figure指標(biāo)不達(dá)標(biāo)等等。這種問題通常是由兩方面的問題導(dǎo)致的,一個(gè)是前期在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)就沒做足余量,一個(gè)就是物理實(shí)現(xiàn)版圖太爛。這類問題通常是用后仿真來進(jìn)行驗(yàn)證的
    2025-12-15 閱讀:713 關(guān)鍵詞: 芯片測(cè)試 DFT WAT CP FT 測(cè)試流程
  • 芯片制造的步驟

    芯片制造的步驟

    簡(jiǎn)單地說,芯片的制造過程可以大致分為沙子原料(石英)、硅錠、晶圓、光刻(平版印刷)、蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測(cè)試與切割、核心封裝、等級(jí)測(cè)試、包裝上市等諸多步驟,而且每一步里邊又包含更多細(xì)致的過程。
    2025-12-12 閱讀:637 關(guān)鍵詞: 芯片制造 硅錠 晶圓 光刻 離子注入 測(cè)試封裝
  • DC/DC 與 AC/DC:技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景及優(yōu)劣勢(shì)全解析

    DC/DC 與 AC/DC:技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景及優(yōu)劣勢(shì)全解析

    要理解 DC/DC 與 AC/DC 的差異,核心是抓住 “輸入電源類型” 的本質(zhì)區(qū)別 ——DC/DC 處理直流輸入,AC/DC 處理交流輸入,這直接決定了兩者的技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景及優(yōu)劣勢(shì)。以下從技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景、優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比三方面詳細(xì)拆解。 DC/DC(直流 - 直流變換器)和 AC/DC(交流 - 直流變換器)是電源系統(tǒng)的兩大核心器件,前者負(fù)責(zé) “直流電壓的適配調(diào)節(jié)”,后者負(fù)責(zé) “從交流電網(wǎng)獲取并轉(zhuǎn)換為直流電源”,二者常搭配使用(如手機(jī)充電器 = AC/DC+DC/DC),但技術(shù)邏輯和定位完全不同。
  • 功率電感在 DC/DC 電路中的核心作用及大功率升壓電路深度解析功率電感在 DC/DC 電路中的核心作用及大功率升壓電路深度解析

    功率電感在 DC/DC 電路中的核心作用及大功率升壓電路深度解析功率電感在 DC/DC 電路中的核心作用及大功率升壓電路深度解析

    功率電感是 DC/DC 變換器(開關(guān)電源)實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換的核心儲(chǔ)能元件,其通過 “周期性充放電” 配合 PWM(脈寬調(diào)制)信號(hào),完成能量的存儲(chǔ)與傳遞,最終實(shí)現(xiàn)輸入直流電壓向目標(biāo)輸出電壓的轉(zhuǎn)換。無論是升壓(Boost)還是降壓(Buck)電路,電感的 “充放電時(shí)序” 直接決定電壓轉(zhuǎn)換效率與輸出穩(wěn)定性,以下分模塊詳解其技術(shù)原理與應(yīng)用。
    2025-12-11 閱讀:1029 關(guān)鍵詞: 功率電感 DC/DC電路 升壓電路 降壓電路 大功率應(yīng)用
  • 輸入與輸出電壓接近時(shí),DC/DC 變換器輸出不穩(wěn)定的原因與技術(shù)解析

    輸入與輸出電壓接近時(shí),DC/DC 變換器輸出不穩(wěn)定的原因與技術(shù)解析

    在 DC/DC 變換器(如 Buck 降壓、Boost 升壓電路)的應(yīng)用中,“輸入電壓(Vi)與輸出電壓(Vo)接近”(通常指 | Vi - Vo|<Vi×10%)是典型的 “臨界工況”。此時(shí)輸出電壓易出現(xiàn)紋波增大、波動(dòng)頻繁、控制精度下降等問題,其本質(zhì)是 DC/DC 的 “PWM 控制邏輯”“電感能量平衡”“元件非理想特性” 三大核心環(huán)節(jié)的短板被放大,導(dǎo)致電壓調(diào)節(jié)能力失效。本文將從原理層面拆解問題根源,結(jié)合拓?fù)鋵?shí)例(Buck/Boost)分析具體影響,并給出優(yōu)化方向。
  • 低頻、中頻、高頻對(duì)音箱的影響

    低頻、中頻、高頻對(duì)音箱的影響

    低頻、中頻、高頻對(duì)音箱的影響 不同頻段對(duì)應(yīng)不同的聲音元素,其表現(xiàn)直接決定聽感,先理清基礎(chǔ)范圍(行業(yè)通用劃分,略有差異): 低頻(20Hz-200Hz)≈ 低音:主要負(fù)責(zé)音樂中的低頻部分,比如鼓的底鼓、貝斯(Bass)的根音、大提琴的低音區(qū),這些聲音能帶來沖擊感和厚重感,也就是我們常說的 “低音”。 中頻(200Hz-5kHz)≈ 人聲:這是人聲(無論是唱歌還是說話)最集中的頻段,人耳對(duì)這個(gè)頻段也最敏感。比如歌手的 vocals、播客里的人聲,都主要依賴中頻傳遞,同時(shí)它還包含吉他、鋼琴等樂器的基音,決定了聲音的 “真實(shí)感”。 高頻(5kHz-20kHz)≈ 高音:對(duì)應(yīng)音樂中的高頻部分,比如小提琴的泛音、女高音的高音區(qū)、镲片(Cymbal)的清脆聲,還有人聲中的齒音(“s”“sh” 音),這些聲音帶來 “通透感” 和 “細(xì)節(jié)感”,也就是我們說的 “高音”。
共37頁   到第