在各類電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及控制電路中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 MOSFET 是最常見(jiàn)的功率器件之一。由于其工作頻率高、電流大、溫升快，一旦出現(xiàn)故障，往往會(huì)造成系統(tǒng)停機(jī)甚至連帶燒毀其他元件。作為MDD FAE，如何快速定位問(wèn)題、判斷失效類型并指導(dǎo)客戶恢復(fù)，是關(guān)鍵技能。

一、常見(jiàn)故障類型分類

在實(shí)際應(yīng)用中，MOSFET 的典型失效類型包括：

短路失效（D-S導(dǎo)通）：漏源極間電阻近似為零，多由過(guò)壓擊穿或熱失控導(dǎo)致；

開(kāi)路失效：器件內(nèi)部焊線斷裂或硅片燒蝕，無(wú)法導(dǎo)通；

漏電/性能退化：靜態(tài)漏電流升高，開(kāi)關(guān)損耗增加；

柵極損傷：EAS 或 ESD 造成柵氧層擊穿，導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)異常；

熱擊穿或封裝炭化：散熱不良或PCB銅箔脫焊導(dǎo)致。

二、快速定位思路

1、初步判斷（不帶電測(cè)）

使用萬(wàn)用表電阻檔（或二極管檔）快速排查：

測(cè)量 D-S間電阻：

若 <10Ω，基本確定短路。

若 >1MΩ 且無(wú)導(dǎo)通跡象，可能開(kāi)路或柵極失效。

測(cè)量 G-S間電阻：

應(yīng)在數(shù)百kΩ以上；若幾Ω或幾十Ω，則為柵極擊穿。

測(cè)量 D-G間：若存在導(dǎo)通或低阻，也可能為內(nèi)部氧化層破壞。

這一步可在幾分鐘內(nèi)初步判斷 MOS 是否損壞。

2、通電動(dòng)態(tài)驗(yàn)證

若外觀及靜態(tài)測(cè)試無(wú)異常，可進(jìn)入動(dòng)態(tài)測(cè)試。

用示波器監(jiān)測(cè) 柵極驅(qū)動(dòng)波形：應(yīng)為方波，幅度應(yīng)≥10V（N溝MOS）；若波形失真或幅值不足，需檢查驅(qū)動(dòng)芯片。

監(jiān)測(cè) D-S波形與電流波形：若開(kāi)通/關(guān)斷時(shí)間延長(zhǎng)、波形拖尾明顯，說(shuō)明MOS內(nèi)部特性退化或結(jié)溫偏高。

3、溫升與短時(shí)應(yīng)力驗(yàn)證

使用紅外熱像儀或點(diǎn)溫儀觀測(cè)溫度分布；

若單顆MOS溫升明顯高于其他并聯(lián)器件（>10°C差異），說(shuō)明內(nèi)部R_DS(on) 異常或焊接不良；

對(duì)高頻應(yīng)用，觀察波形是否存在過(guò)沖、振鈴等跡象。

三、故障原因分析與修復(fù)建議

四、FAE快速診斷技巧

判斷優(yōu)先級(jí)：

先電阻測(cè)量，再通電波形，再熱像驗(yàn)證；

切勿帶電亂測(cè)，避免二次擊穿。

記錄對(duì)比數(shù)據(jù)：

與正常通道MOS對(duì)比電壓、波形、溫度差異，可快速縮小范圍。

關(guān)注外部驅(qū)動(dòng)與供電：

很多MOS失效并非器件問(wèn)題，而是驅(qū)動(dòng)欠壓、反相電感、接地干擾造成。

MDD MOSFET 故障診斷的關(guān)鍵在于——

“靜態(tài)判定準(zhǔn)、動(dòng)態(tài)驗(yàn)證快、系統(tǒng)思維全。”

FAE在支持客戶時(shí)，通常可通過(guò)簡(jiǎn)單的萬(wàn)用表和示波器，在10分鐘內(nèi)判斷出故障類型。后續(xù)應(yīng)結(jié)合應(yīng)用場(chǎng)景，提出散熱、驅(qū)動(dòng)、布局等預(yù)防性優(yōu)化，避免重復(fù)損壞。