在新能源、工業控制、消費電子等領域飛速發展的當下，功率器件作為電路核心 “動力樞紐”，其性能上限直接決定了終端產品的能效、穩定性與使用壽命。杰盛微半導體深耕功率器件研發與制造多年，始終以技術創新為核心驅動力，今日正式推出200V N 溝道 MOSFET——JSM9N20D。這款凝聚了杰盛微核心技術的產品，憑借快速開關、高可靠性、優異熱性能等多重優勢，專為開關模式電源（SMPS）、不間斷電源（UPS）、功率因數校正（PFC）等關鍵場景量身打造，為電力電子行業提供高性能、高性價比的解決方案。

一、三大核心特性，破解功率應用痛點

JSM9N20D 的研發團隊深入洞察行業需求，針對功率器件在高頻工作、極端工況下的核心痛點，打造了三大核心技術優勢，從根源上提升產品競爭力：

1. 極速開關響應，降低高頻損耗

高頻化是電力電子設備小型化、高效化的核心趨勢，而開關速度是制約高頻應用的關鍵因素。JSM9N20D 通過優化芯片結構與工藝，大幅降低寄生電容與電阻，實現了納秒級的極速開關響應：導通延遲時間僅 35ns，關斷延遲時間 98ns，上升時間 7ns，下降時間 32ns。這一性能讓器件在高頻切換過程中，開關損耗顯著降低，不僅能提升終端產品的能效等級，還能減少散熱壓力，為設備小型化設計提供更大空間，完美適配高頻電源、快速充放電等場景。

2. 100% 雪崩測試，筑牢可靠性防線

雪崩擊穿是功率器件在過載、電感儲能釋放等極端工況下的主要失效原因之一，雪崩耐受能力直接關系到產品的使用壽命與穩定性。JSM9N20D 經過 100% 嚴苛雪崩測試，單脈沖雪崩能量高達 115mJ，重復雪崩能量 69mJ，雪崩電流 5A，即便在突發過載或電路異常的情況下，也能穩定承受能量沖擊，避免器件損壞。這一特性讓終端產品在復雜工作環境中更具可靠性，降低售后維修成本，尤其適用于對穩定性要求極高的工業電源、UPS 等關鍵設備。

3. 優異 dv/dt 能力，減少電磁干擾

在電壓快速變化的功率轉換場景中，dv/dt 應力容易引發電磁干擾（EMI），影響周邊電路正常工作，增加濾波設計難度與成本。JSM9N20D 具備改善的 dv/dt 承受能力，能有效抑制電壓突變帶來的電磁輻射，降低系統 EMI 水平。這一優勢不僅簡化了工程師的電路設計流程，減少濾波元件的使用，還能提升整個系統的電磁兼容性，讓產品更易通過行業認證，加快上市周期。

二、多元應用場景，賦能行業高質量發展

憑借卓越的綜合性能，JSM9N20D 的應用場景覆蓋電力電子行業多個核心領域，為不同行業的客戶提供定制化解決方案：

1. 開關模式電源（SMPS）

在通信電源、工業電源、消費電子適配器等 SMPS 應用中，JSM9N20D 的快速開關特性與低導通損耗，能大幅提升電源轉換效率，助力產品達到更高的能效標準（如 80PLUS 認證）；同時，其高雪崩耐受能力與優異的 EMI 表現，能提升電源的穩定性與可靠性，減少故障發生率。

2. 不間斷電源（UPS）

UPS 作為關鍵設備的 “電力保障”，對功率器件的可靠性與電流承載能力要求極高。JSM9N20D 的 9A 連續漏極電流、36A 脈沖漏極電流，能滿足 UPS 在市電中斷時的大功率輸出需求；100% 雪崩測試驗證與寬溫工作范圍，確保 UPS 在極端工況下仍能穩定運行，為服務器、數據中心、醫療設備等關鍵負載提供持續電力。

3. 功率因數校正（PFC）

在空調、冰箱、工業變頻器等大功率設備中，PFC 電路是提升電網功率因數、減少諧波污染的核心環節。JSM9N20D 的快速開關響應與低損耗特性，能優化 PFC 電路的工作效率，降低能耗；改善的 dv/dt 能力則能減少電路中的電磁干擾，讓設備更易滿足電網諧波標準，提升產品市場競爭力。

三、關鍵參數：硬核性能，數據說話

（1）最大額定值

（2）動態電氣參數

（3）熱學特性

四、硬核參數加持，全方位滿足應用需求

如果說核心特性是產品的 “軟實力”，那么實打實的電氣與熱性能參數就是 JSM9N20D 的 “硬底氣”。從電壓電流承載能力到靜態動態性能，再到熱管理表現，JSM9N20D 均達到行業領先水平：

1. 電氣參數：強承載、低損耗、高兼容

• 電壓與電流承載：漏源電壓（Voss）達到 200V，滿足中高壓功率轉換需求；連續漏極電流（ID）穩定在 9A，脈沖漏極電流高達 36A，能輕松應對大功率輸出場景，適配從消費電子到工業設備的多元功率需求。

• 靜態性能：柵源閾值電壓控制在 2.0~4.0V，驅動門檻低，兼容市面上主流驅動芯片；在 VGS=10V、ID=4.5A 的工況下，漏源導通電阻（DS (on)）典型值僅 0.25Ω，最大值不超過 0.3Ω，導通損耗極低，進一步提升產品能效；零柵壓漏極電流（Dss）最大值僅 1μA，柵源泄漏電流（GSS）不超過 ±100nA，靜態功耗微乎其微。

• 動態性能：輸入電容（Ciss）605pF、輸出電容（Coss）87pF、反向傳輸電容（Crss）37pF 的低寄生電容組合，配合 19.14nC 的總柵極電荷（Qg），讓器件在高頻工作時驅動損耗小、響應迅速；柵源電荷（Qgs）3nC、柵漏電荷（Qgd）8nC 的合理分配，進一步優化了開關特性。

• 體二極管特性：內置體二極管性能優異，連續體二極管電流 9A，脈沖正向電流 36A，反向恢復時間 145ns，反向恢復電荷 0.82μC，為電路續流提供可靠保障，無需額外搭配續流二極管，簡化電路設計。

2. 熱性能：寬溫適應、高效散熱

熱管理是功率器件長期穩定工作的關鍵，JSM9N20D 在熱性能上表現突出：

• 工作結溫與存儲溫度范圍均為 - 55~+150℃，既能適應嚴寒地區的戶外設備場景，也能耐受工業設備內部的高溫環境；

• 采用經典的 TO-252 封裝，結殼熱阻僅 1.7K/W，熱量從芯片到封裝殼體的傳導效率高，配合 60K/W 的結環境熱阻，即便在密閉空間中，也能通過合理的散熱設計實現高效散熱，避免器件因過熱導致性能衰減或失效。

五、TO-252 封裝設計，兼顧實用性與兼容性

JSM9N20D 采用工業界廣泛認可的 TO-252 封裝，在尺寸設計與引腳布局上充分考慮了實用性與兼容性：

1. 尺寸優化，適配多元安裝場景

封裝關鍵尺寸經過精準調校：長度（L1）為 9.60~10.50mm，寬度（B）為 5.70~6.30mm，高度（A）為 6.30~6.90mm，小巧的體積便于在 PCB 板上緊湊布局，節省安裝空間；引腳間距與長度設計符合行業標準，適配自動化焊接工藝，提升生產效率。

2. 標識清晰，便于生產識別

器件表面直接標注型號 “JSM9N20D”，標識清晰明確，在來料檢驗、生產焊接、后期維修等環節中，能快速準確識別產品型號，避免混淆，提升生產與維護效率。

3. 工藝可靠，保障長期穩定

封裝過程嚴格遵循杰盛微的品質管控標準，引腳鍍層均勻、附著力強，抗氧化與耐腐蝕性能優異；封裝與芯片的結合緊密，機械強度高，能承受運輸與安裝過程中的振動與沖擊，保障產品在全生命周期內的穩定運行。

杰盛微：以技術創新，筑功率器件標桿

杰盛微半導體自成立以來，始終專注于功率器件的研發、生產與銷售，憑借專業的研發團隊、先進的生產設備與完善的質量管控體系，在 MOSFET、IGBT 等領域積累了深厚的技術沉淀。公司堅持以市場需求為導向，以技術創新為核心，不斷突破性能瓶頸，推出了一系列滿足行業需求的高性能產品，贏得了全球客戶的認可與信賴。

JSM9N20D 的成功推出，是杰盛微技術實力的又一重要體現。未來，杰盛微將持續加大研發投入，聚焦電力電子行業的技術痛點與發展趨勢，優化產品布局，提升產品性能與性價比，為全球客戶提供更具競爭力的功率器件解決方案；同時，公司將秉持 “品質至上、客戶第一” 的理念，完善售前咨詢、售中技術支持、售后保障等全流程服務體系，與合作伙伴攜手共進，共同推動電力電子行業的創新發展。

如果您正在為開關電源、UPS、PFC 等應用尋找高性能、高可靠性的 MOSFET 產品，杰盛微 JSM9N20D 絕對是您的優選之選。歡迎聯系杰盛微銷售團隊，獲取詳細技術資料、樣品測試與報價信息，讓我們一起解鎖功率應用新可能！