前言

在儲能系統與電動汽車應用中，電池管理系統（BMS）的可靠性直接決定整包電池的安全性、循環壽命與可用容量。主回路保護包括充放電控制、過流保護、短路保護等是BMS的核心功能之一，其中功率MOSFET和電流檢測電阻的選型尤為關鍵。這些器件不僅需要承受瞬態大電流、高壓應力，還必須在寬溫度范圍內保持穩定工作。同時，電池均衡作為提升一致性的輔助功能，其電路中的功率器件同樣需滿足嚴苛的可靠性要求。合科泰從主回路保護設計出發，探討高可靠性BMS中功率器件的選型原則與權衡，并結合設計實例說明如何通過車規級器件實現系統級的魯棒性。

主回路保護設計要點

BMS主回路通常由串聯在電池包正極或負極的充放電控制MOSFET構成，配合電流檢測電阻實現過流、短路保護。其設計需重點關注以下參數：

• 耐壓（VDSS）：必須高于電池包最高電壓并留足裕量。對于標稱100V系統，建議選用150V或更高耐壓的MOSFET，以承受負載突變或反接時產生的電壓尖峰。

• 導通電阻（RDS(on)）：直接影響導通損耗和溫升。在大電流應用中（如100A持續放電），需選用RDS(on)在5mΩ以下的器件，并結合熱阻計算結溫。

• 雪崩能力（EAS）：在感性負載關斷或短路發生時，MOSFET可能進入雪崩模式。必須確保器件的單次及重復雪崩能量高于實際工況中的峰值應力，否則可能導致失效。

• 安全工作區（SOA）：短路保護過程中，MOSFET需在微秒級時間內承受高電壓大電流，必須驗證其SOA曲線是否覆蓋保護動作前的瞬態工作點。

電流檢測電阻：需選用低感、低溫漂、高精度的合金電阻。AEC-Q200認證的電阻可保證在-55℃～155℃范圍內阻值變化小于1%，同時抗硫化能力延長了在惡劣環境下的壽命。

均衡電路中的可靠性考慮

電池均衡雖非主回路，但其電路中的功率器件同樣影響系統可靠性。被動均衡通過開關MOSFET和功率電阻耗散多余能量，需關注開關管的導通電阻與熱耗散，以及電阻的功率降額。主動均衡則依賴高頻開關MOSFET和電感/電容，要求器件具有低柵極電荷（Qg）和快速體二極管恢復，以減少開關損耗和電磁干擾。無論采用何種拓撲，均衡電路中的MOSFET和電阻均應選用汽車級或工業級產品，以保證在長期振動、溫度循環下不失效。

100V儲能系統BMS主回路與均衡設計

以28串三元鋰電池構成的100V/50Ah儲能系統為例，設計目標為持續放電電流50A，峰值電流100A（10s），并具備過流、短路保護及被動均衡功能。

1.主回路保護設計

主回路采用背靠背共源極雙N溝道MOSFET配置，防止電流倒灌。選用合科泰150V耐壓、4.5mΩ導通電阻的HKT150N04S，其雪崩能量EASE AS達600mJ，足以承受短路關斷時的瞬態應力。電流檢測采用兩顆1mΩ、5W、1%精度、AEC-Q200認證的合金電阻并聯，通過差分放大器采集電壓，過流保護閾值設定為120A（1.2倍峰值）。熱設計驗證：在50A持續放電下，單顆MOSFET導通損耗約1.1W，考慮熱阻RθJCR θJC=0.5℃/W，環境溫度55℃時結溫約為85℃，遠低于175℃上限。

2.均衡電路設計

采用混合均衡架構：被動均衡層為每節電芯配置200mA均衡電流，開關管選用合科泰30V、28mΩ的AO3400，均衡電阻為10Ω±1%的0805合金電阻（0.5W，降額使用）。主動均衡層采用開關電容式拓撲，支持2A能量轉移，開關矩陣選用與主回路同系列的150V耐壓MOSFET（導通電阻控制在15mΩ以下），飛跨電容為10μF/100V X7R。熱仿真顯示電阻溫升24℃，MOSFET結溫67℃，均在安全范圍內。

總結

構建高可靠性BMS需從主回路保護到輔助功能全面考慮功率器件的選型與熱設計。關鍵要點包括：1）主回路MOSFET必須留有充足的電壓、電流及雪崩能量裕量；2）電流檢測電阻需兼顧精度、溫漂與功率降額；3）均衡電路中的器件同樣需滿足汽車級可靠性要求。合科泰基于IATF16949體系生產的MOSFET及AEC-Q200認證的合金電阻，為上述設計提供了經過驗證的解決方案。實際工程中，建議通過雙脈沖測試、短路測試及熱循環實驗對設計進行驗證，確保系統在極端工況下的穩定運行。