在電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中，功率MOSFET的失效往往并非由正常持續(xù)運(yùn)行引起，而是發(fā)生在啟動、堵轉(zhuǎn)或突然反轉(zhuǎn)等瞬態(tài)情況下。此時(shí)，數(shù)倍于正常工作電流的浪涌沖擊會瞬間施加于器件，若選擇不當(dāng)，極易導(dǎo)致器件擊穿或過熱燒毀。如何確保MOSFET在極端瞬態(tài)下仍能可靠工作，成為電機(jī)驅(qū)動設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。合科泰從抗浪涌設(shè)計(jì)和安全工作區(qū)驗(yàn)證的角度，分析MOSFET選型中需重點(diǎn)關(guān)注的技術(shù)參數(shù)，并通過典型應(yīng)用說明如何結(jié)合器件特性實(shí)現(xiàn)可靠設(shè)計(jì)。

浪涌電流的來源與應(yīng)力特點(diǎn)

電機(jī)作為電感類負(fù)載，其瞬態(tài)行為主要由機(jī)械負(fù)載突變引起：

• 啟動沖擊：電機(jī)從靜止加速到額定轉(zhuǎn)速的過程中，轉(zhuǎn)子電流遠(yuǎn)大于額定值，持續(xù)時(shí)間可達(dá)數(shù)十至數(shù)百毫秒。

• 堵轉(zhuǎn)工況：當(dāng)電機(jī)轉(zhuǎn)子被卡住時(shí)，電流持續(xù)維持在峰值，產(chǎn)生明顯的熱量積累。

• 反向制動：電機(jī)突然反轉(zhuǎn)時(shí)，反電動勢（電機(jī)自身發(fā)電產(chǎn)生的電壓）與母線電壓疊加，形成高壓大電流沖擊。

• 關(guān)斷過壓：電機(jī)關(guān)斷時(shí)，電流快速變化會在電路寄生電感上產(chǎn)生電壓尖峰，可能超過MOSFET的耐壓極限。

上述工況要求MOSFET不僅能在短時(shí)間內(nèi)承受高電流，還需耐受對應(yīng)的電壓壓力。因此，選型時(shí)不能僅依據(jù)額定電流和電壓，必須深入分析瞬態(tài)工作點(diǎn)是否位于器件的安全工作區(qū)內(nèi)。

關(guān)鍵選型參數(shù)與設(shè)計(jì)考量

1.耐壓與瞬態(tài)過壓抑制

MOSFET的漏源極間耐壓需留有充足余量，以涵蓋電網(wǎng)波動、反電動勢和關(guān)斷尖峰。工程上建議按以下方式估算所需耐壓：

所需耐壓=最大母線電壓×安全系數(shù)+關(guān)斷尖峰電壓

其中安全系數(shù)通常取1.5，關(guān)斷尖峰為實(shí)測或估算值。對于220V交流輸入系統(tǒng)（整流后約310V），需選擇500V以上耐壓器件；380V工業(yè)系統(tǒng)（約540V）則需600V或650V器件。同時(shí)，需結(jié)合器件承受過壓沖擊的能力來評估對瞬態(tài)過壓的耐受性。

2.導(dǎo)通電阻與損耗權(quán)衡

導(dǎo)通損耗由工作電流、導(dǎo)通電阻和溫度系數(shù)共同決定。導(dǎo)通電阻隨溫度升高而增大，高溫下?lián)p耗會更明顯。較低的導(dǎo)通電阻可降低導(dǎo)通損耗，但往往帶來更高的柵極驅(qū)動電荷和成本。對于頻繁啟停的電機(jī)，開關(guān)損耗可能占主導(dǎo)，需在導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間取得平衡。對于更高效率、更高頻率的先進(jìn)電機(jī)驅(qū)動，業(yè)界也開始采用碳化硅（SiC）MOSFET等第三代半導(dǎo)體器件，以進(jìn)一步降低開關(guān)損耗并提升功率密度。

3.安全工作區(qū)驗(yàn)證

安全工作區(qū)曲線描繪了MOSFET在不同電壓-電流組合下的安全工作時(shí)間。電機(jī)驅(qū)動中需重點(diǎn)驗(yàn)證以下三個(gè)瞬態(tài)點(diǎn)：

• 啟動點(diǎn)：高電流（約5~10倍額定）、持續(xù)時(shí)間約100ms。

• 堵轉(zhuǎn)點(diǎn)：持續(xù)大電流，要求安全工作區(qū)與散熱設(shè)計(jì)共同保證。

• 短路點(diǎn)：極短時(shí)間內(nèi)極高電流密度，需驗(yàn)證短時(shí)脈沖耐受能力。

• 驗(yàn)證方法：在器件手冊的安全工作區(qū)曲線中標(biāo)出實(shí)際工況的最大電壓-電流點(diǎn)，確保該點(diǎn)位于對應(yīng)脈沖寬度的曲線下方。若為重復(fù)脈沖，還需考慮熱量累積效應(yīng)。

4.雪崩能量（EAS）

電機(jī)關(guān)斷時(shí)，存儲在電感中的能量將通過MOSFET的雪崩效應(yīng)耗散。單次過壓沖擊能量必須大于實(shí)際關(guān)斷能量；重復(fù)沖擊則需結(jié)合開關(guān)頻率和散熱條件校核。器件的過壓耐受能力與芯片設(shè)計(jì)和封裝工藝密切相關(guān)，選型時(shí)應(yīng)優(yōu)先選擇明確標(biāo)注此參數(shù)且留有裕量的產(chǎn)品。

5.柵極驅(qū)動電荷與驅(qū)動設(shè)計(jì)

開關(guān)損耗與柵極驅(qū)動電荷相關(guān)。如伺服電機(jī)的高頻應(yīng)用需選擇柵極驅(qū)動電荷低的器件以降低開關(guān)損耗，同時(shí)根據(jù)此參數(shù)計(jì)算所需驅(qū)動電流，并確保驅(qū)動芯片能提供足夠的峰值電流。此外，驅(qū)動回路應(yīng)盡量縮短以減小寄生電感，防止柵極控制信號振蕩。

總結(jié)

電機(jī)驅(qū)動中MOSFET的選型需從瞬態(tài)工況出發(fā)，重點(diǎn)關(guān)注耐壓余量、安全工作區(qū)驗(yàn)證、雪崩能量（EAS）及驅(qū)動匹配。設(shè)計(jì)流程可歸納為：

• 計(jì)算最大電壓應(yīng)力并選擇合適耐壓等級

• 標(biāo)定啟動、堵轉(zhuǎn)、短路等瞬態(tài)工作點(diǎn)，驗(yàn)證安全工作區(qū)

• 校核雪崩能量（EAS）是否滿足感性負(fù)載關(guān)斷要求

• 根據(jù)開關(guān)頻率和柵極驅(qū)動電荷優(yōu)化驅(qū)動電路

實(shí)際工程中，建議通過雙脈沖測試和熱循環(huán)實(shí)驗(yàn)進(jìn)一步驗(yàn)證設(shè)計(jì)余量，確保系統(tǒng)在惡劣工況下的長期可靠性。合科泰提供的系列功率MOSFET，通過嚴(yán)格的可靠性測試，為電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)應(yīng)對極端瞬態(tài)工況提供了堅(jiān)實(shí)的硬件基礎(chǔ)。