1月8日，廣州市人民政府辦公廳發(fā)布《廣州市加快建設先進制造業(yè)強市規(guī)劃（2024—2035年）》（以下簡稱《規(guī)劃》），目標到2030年，先進制造業(yè)強市建設邁上重要臺階，現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系建設取得顯著進展，產(chǎn)業(yè)體系整體效能明顯提升，形成萬億帶動、千億支撐、百億躍升的新格局。

《規(guī)劃》提出，聚焦“2035年工業(yè)增加值翻一番”目標，聚力打造廣州“12218”現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系，推動先進制造業(yè)和現(xiàn)代服務業(yè)“兩業(yè)融合”，產(chǎn)業(yè)數(shù)智化、綠色化“兩化轉(zhuǎn)型”，加快推進新型工業(yè)化，培育壯大15個戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)集群，大力發(fā)展智能網(wǎng)聯(lián)新能源汽車、超高清視頻與新型顯示、生物醫(yī)藥與健康、綠色石化與新材料、軟件與互聯(lián)網(wǎng)、智能裝備與機器人等6個新興支柱產(chǎn)業(yè)。加速培育人工智能、半導體與集成電路、新能源與新型儲能、低空經(jīng)濟與航空航天、生物制造等5個戰(zhàn)略先導產(chǎn)業(yè)。做大做強時尚消費品、軌道交通、船舶與海洋工程、智能建造與工業(yè)化建筑等4個特色優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)。前瞻布局6個未來產(chǎn)業(yè)，在具身智能、智能無人系統(tǒng)、前沿新材料等產(chǎn)業(yè)打造一批首試首用示范應用場景，以場景驅(qū)動前沿技術(shù)及產(chǎn)品加快熟化應用，力爭在5至10年內(nèi)產(chǎn)業(yè)規(guī)模實現(xiàn)倍數(shù)級增長。圍繞細胞與基因、未來網(wǎng)絡與量子科技、深海深空等產(chǎn)業(yè)，打造一批高能級創(chuàng)新平臺，加快創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化，推動科技創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的深度融合。

其中重點內(nèi)容如下：

智能網(wǎng)聯(lián)新能源汽車

在國產(chǎn)汽車芯片方向：持續(xù)推動計算類、控制類、存儲類、模擬驅(qū)動與電源類、通信與接口類、傳感器類、功率類等汽車芯片設計、制造和封測能力，提升產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈安全水平。針對性推動芯片制造、設計企業(yè)與汽車制造企業(yè)開展高可靠微控制單元（MCU）、人工智能芯片、動力控制管理芯片、高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）芯片、汽車音視頻/信息終端芯片等汽車芯片封裝測試、認證應用，加快提高相關配套服務能力，推動自主可控汽車芯片的規(guī)?；瘧茫灰云嚻髽I(yè)應用為牽引，提高相關配套服務能力，推動自主可控汽車芯片的規(guī)模化應用。

超高清視頻與新型顯示

鞏固提升印刷顯示、超高清超高速攝錄設備等領先優(yōu)勢，加快突破超高清視頻系統(tǒng)級（SoC）芯片、數(shù)據(jù)傳輸芯片、高端互補金屬氧化物半導體（CMOS）圖像傳感器芯片等核心零部件。重點支持發(fā)展有機發(fā)光半導體（OLED）、有源矩陣有機發(fā)光二極體（AMOLED）、微型發(fā)光二極管（MicroLED）、量子點發(fā)光二極管（QLED）、印刷顯示、量子點、柔性顯示、石墨烯顯示等新型顯示技術(shù)。

半導體與集成電路

加快推動半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，積極謀劃芯片研發(fā)設計、晶圓制造、封裝測試、半導體材料和設備等全產(chǎn)業(yè)鏈布局。依托黃埔、南沙、增城等區(qū)，著力補齊產(chǎn)業(yè)鏈空缺，集聚發(fā)展光掩膜、光刻膠、電子氣體、高純靶材等制造材料生產(chǎn)線及其產(chǎn)業(yè)鏈上下游，引進培育光刻、刻蝕、離子注入、沉積、清洗、檢測設備等制造設備及零部件龍頭企業(yè)。

具體來看：

1.半導體材料：大力發(fā)展碳化硅、氧化鋅、氧化鎵等第三代半導體材料制造，支持氮化鎵、碳化硅等化合物半導體器件和模塊的研發(fā)制造，加快光刻膠、高純度化學試劑、電子氣體、碳基、高密度封裝基板等材料研發(fā)生產(chǎn)，培育壯大化合物半導體IDM（集成器件制造）、寬禁帶半導體材料、電子級多晶硅及硅片企業(yè)。支持開展射頻、傳感器、納米級陶瓷粉體、電力電子等器件研發(fā)轉(zhuǎn)化，推動化合物半導體產(chǎn)品的推廣應用。

2.芯片制造：做大做強特色工藝制造，以硅基特色工藝晶圓代工線為核心，發(fā)展模擬芯片、數(shù)?；旌闲酒?、功率芯片、電源管理芯片、高性能數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片等車規(guī)級芯片和工業(yè)控制領域芯片。提高智能傳感器制造能力，開展12英寸先進SOI工藝研發(fā)，推動建設FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）工藝研發(fā)線、工藝生產(chǎn)線。加強光芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)劃設計，促進光芯片產(chǎn)品開發(fā)應用，支持企業(yè)研發(fā)創(chuàng)新光傳感、光通信領域產(chǎn)品。推動布局建設硅光芯片產(chǎn)線，加大光芯片未來技術(shù)投入。

3.智能傳感器：針對工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、VR/AR等新一代信息技術(shù)快速發(fā)展的需求，重點攻關微機電系統(tǒng)（MEMS）、CMOS等智能傳感器核心技術(shù)，大力發(fā)展車規(guī)級傳感器、智能終端傳感器、智能裝備傳感器，結(jié)合人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算等技術(shù)，推動智能傳感器向高集成度、高精度、高可靠性發(fā)展，強化智能傳感器在數(shù)據(jù)處理、存儲、網(wǎng)絡通信、邊緣計算等功能方面的集成能力，提升智能傳感器檢測、自診斷、數(shù)據(jù)處理以及自適應能力。
到2035年，形成龍頭企業(yè)引領、單項冠軍攻堅、“專精特新”鑄基的半導體與集成電路企業(yè)梯隊，產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈國產(chǎn)化水平進一步提升，打造國家集成電路第三極核心承載區(qū)。