納微半導體成立全球首家針對電動汽車的氮化鎵功率芯片設計中心
氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業領導者Navitas Semiconductor（納斯達克代碼：NVTS）宣布開設新的電動汽車 (EV) 設計中心，進一步擴展到更高功率的氮化鎵市場。與傳統的硅解決方案相比，基于氮化鎵的車載充電器 (OBC) 的充電速度估計快 3 倍，節能高達 70%。據估計，氮化鎵OBC、DC-DC 轉換器和牽引逆變器將有望延長電動汽車續航里程，或將電池成本降低 5%，和原先使用硅芯片相比，氮化鎵功率芯片有望加速全球 EV 的普及提前三年來到。據估計，到 2050 年，將電動汽車升級到使用GaN之后，道路部門的二氧化碳排放量每年有望減少 20%，這也是《巴黎協定》的減排目標。
