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  • NS4110B 18W 單聲道 AB/D 類雙模音頻功率放大器

    NS4110B 18W 單聲道 AB/D 類雙模音頻功率放大器

    說明 NS4110B 是一款 20W 單聲道 AB/D 類切換音頻功率放大器，支持差分輸入，超低 EMI，無需濾波器，。可通過不同電平控制芯片的工作模式：CTRL腳電壓為 2.0V-5.0V，芯片進入 D 類工作模式，0.9-1.5V 時芯片進入 AB 類工作模式，0.5V 以下時芯片關斷，應用靈活方便。NS4110B 采用先進的技術，在全帶寬范圍內極大地降低了 EMI 干擾，最大限度地減少了對其他外部元件的影響。其輸出無需濾波器的 PWM 調制結構減少了外部元件、PCB 面積和系統成本。NS4110B 在 12V 的工作電壓時，能夠向4?負載提供高達 18W 的輸出功率，90%以上的效率更加適合便攜式音頻系統。 NS4110B 內置過流保護、過熱保護功能，有效保護芯片在異常工作狀況下不被損壞。 NS4110B 提供 eSOP-8 封裝，額定的工作溫度范圍為-40℃至 85℃。
  • JSM2110STR4A 700V 單相高低側帶SD功能柵極驅動芯片

    JSM2110STR4A 700V 單相高低側帶SD功能柵極驅動芯片

    做電力電子設計的工程師，多半繞不開 IR2110 這款經典柵極驅動芯片。從車間里的電機驅動器，到機房里的開關電源，它曾是無數項目的 “標配選擇”。但最近兩年，越來越多工程師吐槽：“IR2110 撐不住新需求了！” 高壓場景扛不住、驅動能力不夠用、PCB 布局占空間…… 這些痛點，如今終于有了完美解決方案 —— 杰盛微自主研發的JSM2110STR，不僅能無縫替代 IR2110，更在核心性能上實現 “降維打擊”。今天就帶大家拆解這款 “升級款驅動芯片”，看看它到底能解決多少工程難題。
  • JSM2106STR 700V 單相高低側同相柵極驅動芯片

    JSM2106STR 700V 單相高低側同相柵極驅動芯片

    在高壓驅動芯片領域，IRS2106 曾憑借穩定的性能成為工程師選型清單中的 “常客”。但隨著電力電子設備對耐壓、抗干擾、效率的要求不斷提升，一款更具競爭力的替代產品逐漸走進大眾視野 —— 杰盛微自主研發的 JSM2106STR。這款 700V 單相高低側同相柵極驅動芯片，不僅完美兼容 IRS2106 的應用場景，更在關鍵性能指標上實現突破，為行業帶來更優的驅動解決方案。
  • JSM2104STR 700V 集成自舉帶SD功能單相高低側柵極驅動芯片

    JSM2104STR 700V 集成自舉帶SD功能單相高低側柵極驅動芯片

    在電子科技飛速發展的當下，驅動芯片作為電子設備中的關鍵組件，其性能優劣直接影響著整個系統的運行效率與穩定性。一直以來，IRS2104 憑借其出色的性能在高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動領域占據著重要地位。然而，今天我們要為大家帶來一個令人振奮的消息：杰盛微半導體推出的 JSM2104STR，以其卓越的性能和高性價比，成為了 IRS2104 的有力替代者，為廣大工程師和電子設備制造商提供了更優的選擇。
  • 解決VBUS開關難題，P溝道MOSFET來助力

    解決VBUS開關難題，P溝道MOSFET來助力

    在電子工程領域，VBUS開關的性能對于電子設備的穩定運行至關重要。很多中層管理者在實際工作中，常常會遇到VBUS開關方面的各種問題，今天就來和大家深入探討這些問題，并介紹一款能有效解決問題的產品——HKTQ30P03P溝道MOSFET。
  • NS4111 10W 單聲道 AB/D 類雙模音頻功率放大器

    NS4111 10W 單聲道 AB/D 類雙模音頻功率放大器

    NS4111 是一款 10W 單聲道 AB/D 類切換音頻功率放大器，支持差分輸入，超低 EMI，無需濾波器。可通過不同電平控制芯片的工作模式：CTRL 腳電壓為 2.0V-5.0V，芯片進入 D 類工作模式，0.9-1.5V 時芯片進入 AB 類工作模式，0.4V 以下時芯片關斷，應用靈活方便。NS4111 采用先進的技術，在全帶寬范圍內極大地降低了 EMI 干擾，最大限度地減少了對其他外部元件的影響。其輸出無需濾波器的PWM 調制結構減少了外部元件、PCB 面積和系統成本。NS4111 在 9V 的工作電壓時，能夠向 4?負載提供高達 10W 的輸出功率，90%以上的效率更加適合便攜式音頻系統。 NS4111 內置過流保護、過熱保護及欠壓保護功能，有效保護芯片在異常工作狀況下不被損壞。 NS4111 提供 eSOP-8 封裝，額定的工作溫度范圍為-40℃至 85℃。
  • NS4165B 5.0W 單聲道 AB/D 類雙模音頻功率放大器

    NS4165B 5.0W 單聲道 AB/D 類雙模音頻功率放大器

    NS4165B 是一款 AB/D 類工作模式可切換，高效率的單聲道音頻功放。AB/D 類工作模式可通過一個控制管腳高低電平切換，以匹配不同的應用環境。即使在 D 類工作模式下，NS4165B 采用先進的技術，在全帶寬范圍內極大地降低了 EMI 干擾，最大限度地減少對其他部件的影響。其輸出無需濾波器的PWM 調制結構及反饋電阻內置方式減少了外部元件、PCB 面積和系統成本。 NS4165B 在 5V 的工作電壓時，能夠向 2?負載提供高達 5.4W 的輸出功率。 NS4165B 內置過熱保護功能，有效地保護芯片在異常工作狀況下不被損壞。NS4165B 提供 eSOP8封裝，額定的工作溫度范圍為-40℃至 85℃。
  • TP5200 1A升壓雙串鋰電池 充電IC

    TP5200 1A升壓雙串鋰電池 充電IC

    P5200是一款開關升壓型雙串8.4V鋰電池充電管理芯片。其ESOP8的封裝以及簡單的外圍電路，使得TP5200非常適用于便攜式設備的大電流充電管理應用。 TP5200對電池充電分為涓流預充、恒流、恒壓三個階段，恒流充電電流可通過外部電阻調整。TP5200內置功率PMOSFET，同步外置NMOS管，同步開關結構使其具有極少的外圍器件，有效減少方案尺寸，降低BOM成本。
  • 合科泰MOS管：從掃地機器人到AI眼鏡的開源硬件動力核心

    合科泰MOS管：從掃地機器人到AI眼鏡的開源硬件動力核心

    全球智能家居清潔機器人市場正以33%的同比增速爆發式增長，而谷歌等科技巨頭加速AI眼鏡研發的消息，更凸顯開源硬件創新的黃金時代已然到來。然而創客們卻面臨“進口器件交期長（3-6個月）、高頻損耗高、散熱設計復雜”的三重困境。成立于1992年的合科泰電子，以中低壓/車規級MOS管的低導通電阻、小封裝尺寸、高散熱效率三大優勢，正成為這場“動力革命”的關鍵推動者。
  • MDD靜電二極管選型只看“靜電電壓等級”就夠了嗎？

    MDD靜電二極管選型只看“靜電電壓等級”就夠了嗎？

    在電子產品設計中，MDD辰達半導體的靜電二極管 是最常用的接口防護器件。許多工程師在選型時，往往會首先關注器件的 ESD 等級，例如標稱可承受 ±8kV 接觸放電或 ±15kV 空氣放電。似乎只要電壓等級夠高，器件就能滿足應用需求。然而，實際項目中我們經常發現：即使標稱等級很高的 ESD 管，在實際應用中仍可能失效，導致接口芯片損壞。這說明，僅僅依賴“靜電電壓等級”來選型是不夠的。
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