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INA240A3DR 具有增強的 PWM 抑制能力的 -4V 至 80V、雙向、超精密電流感應放大器

AMC1411DWLR 具有高 CMTI、用于電流感應的 2V 輸入增強型隔離放大器

INA270AID 具有直列式濾波器功能的 AEC-Q100、-16V 至 80V、分級電流感應放大器

TDC1011QPWRQ1 用于液位和 ID 感測的汽車類超聲波感測模擬前端 (AFE)

LMZ21701SIL 采用 3.5mm × 3.5mm 封裝的 3V 至 17V、1A 降壓直流/直流電源模塊

SN74LS540NS 具有三態輸出的 8 通道、4.75V 至 5.25V 雙極反相器

OMAPL138EZCEA3 數字信號處理器和控制器 - DSP, DSC C6000 DSP+ARM

TPS72325DBVR 具有使能功能的 200mA、負電壓、可調節低壓降穩壓器

CSD19536KCS TO-220 、2.7mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

靜電保護陣列

DMX5530E

MOV壓敏電阻

PTC自恢復保險絲

TVS瞬態抑制二級管

GDT陶瓷氣體放電管

GDT陶瓷氣體放電管-2R-8TH

KOV復合器件-KOV@G系列

LED電涌保護器

板載電涌保護器（TM系列）

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BYNB DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率2133Mbps 工作電壓1.35V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BYMA DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1866Mbps 工作電壓1.35V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BYK0 DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作電壓1.35V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BMMA DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作電壓1.35V 溫度-90 °~ 95 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BMK0 DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作電壓1.35V 溫度-40 °~ 95 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BCNB DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率2133Mbps 工作電壓1.5V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝