- 消息稱LG電子正研發(fā)HBM混合鍵合設(shè)備原型機
- 邁為股份:公司高選擇比刻蝕設(shè)備及混合鍵合設(shè)備等可用于DRAM工藝
- 韓國HBM產(chǎn)業(yè)隱憂:混合鍵合核心技術(shù)受制于人
- 知識產(chǎn)權(quán)機構(gòu):韓國缺乏HBM混合鍵合核心專利
- 韓國設(shè)備商韓美半導體2027年開始銷售混合鍵合機
- 3D封裝拯救摩爾定律,混合鍵合技術(shù)開啟晶體管萬億時代
- 三星電子將從16層HBM開始逐步引入混合鍵合技術(shù)
- 耗資140億韓元,Justem領(lǐng)銜開發(fā)HBM混合鍵合設(shè)備
- 混合鍵合不斷被提及,突破堆疊層數(shù)限制,它將是重要法寶
- 半導體巨頭紛紛布局混合鍵合,下一代HBM的主流選擇?