華軒陽電子 HCG65140DBA:650V/17A 氮化鎵MOSFET在高效電源設計中的性能突破與節能實踐
本文聚焦華軒陽電子DFN5X6封裝的650V/17A氮化鎵MOSFET(型號HCG65140DBA)的技術優勢與應用價值。通過對比傳統硅基MOSFET,結合開關電源拓撲分析,闡述其在導通損耗、開關特性及熱管理方面的突破性表現。文章提供實測數據與工程計算模型,量化其在65W PD快充和服務器電源等場景的節能收益,為工程師提供高功率密度設計的可靠解決方案。
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