在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域高速發(fā)展的今天，功率半導體器件作為能量轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，其性能直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與市場競爭力。杰盛微半導體（JSMSEMI）深耕功率器件賽道多年，以技術(shù)創(chuàng)新為內(nèi)核，重磅推出 JSM9N20F 200V N 溝道 MOSFET。這款凝聚了杰盛微核心研發(fā)實力的旗艦級產(chǎn)品，憑借全維度均衡的性能表現(xiàn)，為多場景電力電子應(yīng)用提供一站式解決方案，重新定義中高壓 MOSFET 的性能標桿。

一、產(chǎn)品核心亮點：六大優(yōu)勢破解行業(yè)痛點

杰盛微 JSM9N20F 從芯片設(shè)計、工藝優(yōu)化到封裝測試，全流程遵循工業(yè)級嚴苛標準，凝練出六大核心競爭優(yōu)勢，精準匹配市場對高性能 MOSFET 的核心訴求。

1. 超低導通電阻，能效突破新高度

導通損耗是制約功率器件能效的關(guān)鍵因素，JSM9N20F 通過先進的晶圓制造工藝與器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實現(xiàn)了 0.4Ω（Max）的超低靜態(tài)漏源導通電阻（測試條件：ID=4.5A，VGS=10V）。這一突破性指標意味著器件在大電流工作狀態(tài)下能量損耗大幅降低，相比同類產(chǎn)品，導通損耗可降低 15%-20%，能有效減少設(shè)備發(fā)熱、提升能量轉(zhuǎn)換效率，完美契合綠色節(jié)能的行業(yè)發(fā)展趨勢。

2. 卓越開關(guān)特性，毫秒級響應(yīng)無壓力

高頻化是電力電子設(shè)備小型化、輕量化的核心路徑，JSM9N20F 以 22nC（Typ.）的超低總柵極電荷（Qg）為核心優(yōu)勢（測試條件：VDS=160V，VGS=10V，ID=9A），搭配優(yōu)化的柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計，實現(xiàn)極速開關(guān)響應(yīng)。其導通延遲時間（Td (on)）典型值僅 11nS，關(guān)斷延遲時間（Td (off)）典型值 60nS，上升時間（Tr）與下降時間（Tf）分別低至 70nS 和 65nS（典型值），毫秒級開關(guān)速度大幅減少開關(guān)損耗，確保設(shè)備在高頻工作模式下穩(wěn)定運行。

3. 200V 高壓耐受，安全冗余拉滿

中高壓應(yīng)用場景中，電壓波動與瞬時過壓是器件損壞的主要誘因。JSM9N20F 的漏源電壓（VDSS）額定值高達 200V，通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量（EAS）達到 160mJ，雪崩電流（AR）達 9.0A，具備極強的抗沖擊能力。充足的電壓冗余與優(yōu)異的雪崩耐受特性，能有效抵御電路中的瞬時過壓沖擊，大幅降低器件失效風險，為高壓應(yīng)用場景提供堅實安全保障。

4. 低本征電容 + 寬溫適配，場景兼容性拉滿

JSM9N20F 優(yōu)化了電容特性設(shè)計，輸入電容（Ciss）典型值 550pF、輸出電容（Coss）典型值 85pF、反向傳輸電容（Crss）典型值 22pF（測試條件：VDS=25V，VGS=0，f=1.0MHz），低本征電容減少動態(tài)損耗，降低驅(qū)動電路要求。同時，產(chǎn)品結(jié)溫（Tj）工作范圍覆蓋 - 55°C 至 150°C，存儲溫度同樣達到 - 55°C 至 150°C，焊接最大引線溫度高達 300°C，可輕松應(yīng)對復雜環(huán)境與嚴苛工藝要求。

5. 標準封裝設(shè)計，替換成本最低化

JSM9N20F 采用行業(yè)標準的 TO-220F 封裝，引腳定義清晰（1. 柵極 G、2. 漏極 D、3. 源極 S），核心尺寸精準可控（A=9.80-10.60mm，B1=15.40-16.40mm，E=2.24-2.84mm）。標準封裝設(shè)計使其能直接替換市場上同類型產(chǎn)品，無需改動 PCB 板設(shè)計，實現(xiàn) “即換即用”，極大降低客戶選型成本與替換門檻，適配各類現(xiàn)有應(yīng)用方案。

二、多場景深度賦能：驅(qū)動千行百業(yè)創(chuàng)新

憑借全面均衡的性能表現(xiàn)與極高的可靠性，JSM9N20F 可廣泛適配多個行業(yè)的核心應(yīng)用場景，成為電力電子設(shè)備升級換代的理想選擇。

1. 開關(guān)電源領(lǐng)域：高效節(jié)能標桿

涵蓋工業(yè)控制電源、通信電源、服務(wù)器電源、消費電子適配器等場景。JSM9N20F 的低導通損耗與快速開關(guān)特性，能顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率，助力產(chǎn)品達到 80PLUS 鈦金級甚至更高能效等級；低本征電容特性則支持電源模塊高頻化、小型化設(shè)計，減少散熱器件體積與整體成本，契合綠色節(jié)能與小型化的發(fā)展趨勢。

2. 逆變器應(yīng)用：新能源轉(zhuǎn)型核心支撐

適配光伏逆變器、風能逆變器、車載逆變器、UPS 不間斷電源等場景。產(chǎn)品 200V 高壓額定值、160mJ 單脈沖雪崩能量與優(yōu)異的動態(tài)性能，完美契合高頻逆變需求，能實現(xiàn)能量高效轉(zhuǎn)換，減少損耗；在 UPS 電源中，快速開關(guān)特性與高可靠性可確保斷電時無縫切換，保障關(guān)鍵設(shè)備持續(xù)運行。

3. 電機驅(qū)動領(lǐng)域：工業(yè)智能化動力核心

適用于工業(yè)電機、汽車電子、電動工具等場景。JSM9N20F 的寬溫工作范圍（-55°C 至 150°C）、低導通電阻與卓越開關(guān)特性，能實現(xiàn)精準高效的電機控制，降低驅(qū)動系統(tǒng)功耗與發(fā)熱；在電動工具中，高電流承載能力與抗沖擊特性可滿足瞬時大負載需求，提升工具動力性能與使用壽命。

4. 其他領(lǐng)域：應(yīng)用邊界持續(xù)拓展

還可廣泛應(yīng)用于電焊機、變頻器、照明設(shè)備、醫(yī)療器械等場景：電焊機中，高壓耐受與抗沖擊能力應(yīng)對瞬時高壓大電流沖擊；LED 驅(qū)動電源中，低損耗特性減少能耗、延長照明設(shè)備壽命；醫(yī)療器械中，高可靠性與低電磁干擾特性滿足嚴苛標準，保障設(shè)備安全穩(wěn)定運行。

三、關(guān)鍵參數(shù)：硬核性能，數(shù)據(jù)說話

（1）最大額定值

（2）動態(tài)特性

（3）熱特性

四、關(guān)鍵參數(shù)解析：數(shù)據(jù)見證極致性能

如果說核心優(yōu)勢是產(chǎn)品的 “亮點標簽”，那么全面均衡的參數(shù)表現(xiàn)就是產(chǎn)品可靠運行的 “基石”。JSM9N20F 在絕對最大額定值、電氣特性、熱性能等多個維度均展現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先水平，每一項指標都經(jīng)過嚴苛測試與精準調(diào)校。

1.絕對最大額定值（Ta=25°C）

• 漏源電壓（VDSS）：200V，滿足中高壓應(yīng)用核心需求；

• 漏極電流（ID）：9.0A（Tj=25°C）、5.7A（Tj=100°C），電流承載能力強勁；

• 柵極閾值電壓（VGS (TH)）：±30V，抗靜電能力突出，避免柵極過壓損壞；

• 單脈沖雪崩能量（EAS）：160mJ，雪崩電流（AR）：9.0A，抗沖擊能力優(yōu)異；

• 最大功耗（Po）：72W（Tj=25°C），功率冗余充足，適配高負載場景；

• 存儲溫度（Tstg）：-55~+150°C，焊接最大引線溫度（TL）：300°C，環(huán)境與工藝適應(yīng)性強。

2. 電氣特性：全維度無短板

• 截止特性：漏源擊穿電壓（BVDSS）最小值 500V，電壓安全冗余充足；擊穿電壓溫度系數(shù)典型值 0.55V/°C，寬溫范圍內(nèi)電壓特性穩(wěn)定；零柵壓漏極電流（IDSS）最大值僅 1μA（VDS=200V，VGS=0V），125°C 高溫下也僅為 10μA，漏電流控制行業(yè)頂尖；柵體漏電流（IGSSF/IGSSR）絕對值不超過 100nA，絕緣性能可靠。

• 導通特性：柵極閾值電壓（VGS (th)）為 2-4V，適配主流 10V 驅(qū)動電路，兼容性強；靜態(tài)漏源導通電阻（RDS (on)）最大值 0.4Ω，確保低導通損耗。

• 動態(tài)與開關(guān)特性：總柵極電荷（Qg）典型值 22nC，柵源電荷（Qgs）4nC，柵漏電荷（Qgd）11nC，極低柵極電荷保障快速開關(guān)響應(yīng)；開關(guān)延遲時間、上升 / 下降時間表現(xiàn)優(yōu)異，高頻切換能力突出。

• 二極管特性：漏源二極管最大連續(xù)正向電流 9A，脈沖正向電流 36A，滿足大電流續(xù)流需求；反向恢復時間（trr）典型值 140nS，反向恢復電荷（Qrr）典型值 2.2μC，反向恢復特性出色，減少續(xù)流損耗。

3. 熱性能：高效散熱保障穩(wěn)定運行

熱性能是功率器件長期穩(wěn)定工作的核心保障。JSM9N20F 的結(jié)到殼熱阻（RJC）為 1.74°C/W，結(jié)到環(huán)境熱阻（RJA）為 62.5°C/W，優(yōu)異的散熱特性確保器件在高功率負載下快速散發(fā)熱量，避免因過熱導致性能衰減或永久損壞，為設(shè)備長期穩(wěn)定運行提供堅實支撐。

五、封裝與測試：細節(jié)把控彰顯品質(zhì)

1. TO-220F 封裝：標準與實用兼?zhèn)?/span>

JSM9N20F 采用行業(yè)通用的 TO-220F 封裝，不僅具備優(yōu)異的散熱性能，還擁有清晰的引腳定義與精準的尺寸設(shè)計。封裝核心尺寸參數(shù)嚴格把控：A（9.80-10.60mm）、B1（15.40-16.40mm）、E（2.24-2.84mm）等關(guān)鍵尺寸均符合行業(yè)標準，確保與現(xiàn)有 PCB 板設(shè)計無縫兼容。同時，引腳的機械強度與焊接性能經(jīng)過特殊優(yōu)化，300°C 的最大焊接引線溫度耐受能力，為批量生產(chǎn)提供更高工藝容錯率，保障生產(chǎn)一致性與產(chǎn)品可靠性。

2. 全方位測試：確保性能穩(wěn)定可靠

為驗證產(chǎn)品在各類工況下的性能表現(xiàn)，JSM9N20F 經(jīng)過了全方位的嚴苛測試，涵蓋四大核心測試場景：

• 柵極電荷測試：通過專業(yè)測試電路精準測量柵極電荷參數(shù)，確保開關(guān)性能穩(wěn)定；

• 電阻開關(guān)測試：驗證器件在電阻負載下的開關(guān)響應(yīng)與損耗特性；

• 無鉗位感性開關(guān)測試：模擬電感負載工況，測試雪崩能量與抗沖擊能力，雪崩能量計算公式為：

  
  

  

• 峰值二極管恢復 dv/dt 測試：評估漏源二極管的反向恢復特性與電壓變化率耐受能力。

每一項測試都嚴格遵循行業(yè)標準，確保產(chǎn)品性能達標、品質(zhì)可靠。

杰盛微：以技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展

杰盛微半導體（JSMSEMI）始終專注于功率半導體器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，秉持 “技術(shù)為本、品質(zhì)至上” 的核心理念，構(gòu)建了從芯片設(shè)計、封裝測試到方案優(yōu)化的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。公司擁有一支由行業(yè)資深專家組成的研發(fā)團隊，依托先進的晶圓制造工藝與嚴格的質(zhì)量管控體系，每一款產(chǎn)品都經(jīng)過上百次仿真與測試，每一批產(chǎn)品都經(jīng)過嚴苛的質(zhì)量檢測，確保交付給客戶的每一顆器件都具備穩(wěn)定可靠的性能。

此次 JSM9N20F 的重磅發(fā)布，不僅是杰盛微技術(shù)實力的又一次彰顯，更是對電力電子行業(yè)需求的精準響應(yīng)。未來，杰盛微將繼續(xù)深耕功率器件領(lǐng)域，聚焦新能源、工業(yè)控制、汽車電子等核心賽道，持續(xù)加大研發(fā)投入，推動技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品升級，為全球客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù)。