NY8A053E 12 I/O 4-通道 PWM 8 位 EPROM-Based 單片機

1. 概述

      NY8A053E是以EPROM作為存儲器的 8 位單片機，專為多組I/O口產品的應用而設計。例如遙控器、風扇/燈光控制或是游樂器周邊等等。采用CMOS制程并同時提供客戶低成本、高性能及高性價比等。NY8A053E核心建立在RISC精簡指令集架構可以很容易地做編程和控制，共有 55 條指令。除了少數指令需要兩個指令時鐘，大多數指令都是一個指令時鐘能完成，可以讓用戶輕松地以程序控制完成不同的應用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復雜的應用。在 I/O 的資源方面，NY8A053E 有 12 根彈性的雙向 I/O 腳，每個 I/O 腳都有單獨的寄存器控制為輸入或輸出腳。而且

每一個 I/O 腳位都能通過控制相關的寄存器達成如上拉或下拉電阻或開漏（Open-Drain）輸出。此外針對紅外線搖控的產品方面，NY8A053E 內置了可選擇頻率的紅外載波發射口。

     NY8A053E 有兩組定時器，可用系統時鐘當作一般的計時應用或者從外部訊號觸發來計數。另外 NY8A053E 提供 4組 10 位的 PWM 輸出或蜂鳴器輸出，可用來驅動馬達、LED、或蜂鳴器等等。NY8A053E 采用雙時鐘機制，高速振蕩時鐘或者低速振蕩時鐘都由內部 RC 振蕩或外部晶振輸入。在雙時鐘機制下，

     NY8A053E 可選擇多種工作模式如正常模式（Normal）、慢速模式（Slow mode）、待機模式（Standby mode）與睡眠模式（Halt mode），可節省電力消耗，延長電池壽命。并且單片機在使用內部 RC 高速振蕩時，低速振蕩可以同時使用外部精準的晶振計時。可以維持高速處理同時又能精準計算真實時間。在省電的模式下，如待機模式（Standby mode）與睡眠模式（Halt mode）中，有多個中斷源可以觸發來喚醒 NY8A053E

進入正常操作模式（Normal mode）或慢速模式（Slow mode）來處理突發事件。

1.1 功能

? 寬廣的工作電壓：

? 2.0V ~ 5.5V @系統時鐘 ≦8MHz。

? 2.2V ~ 5.5V @系統時鐘 >8MHz。

? 寬廣的工作溫度：-40°C ~ 85°C。

? 1Kx14 位的程序存儲器空間。

? 64 字節的通用數據存儲器空間。

? 內置準確的低電壓偵測電路（LVD）。14 級電壓選擇 2.2V ~ 4.15V

? 內置準確的電壓比較器（Voltage Comparator）。

? 12 根可分別單獨控制輸入輸出方向的I/O腳（GPIO）、PA[3:0]、PB[7:0]。

? PA[3:0]及PB[3:0]可選擇輸入時使用內部下拉電阻。

? PB[7:0]可選擇內部上拉電阻或開漏輸出（Open-Drain）。

? PB[3]可選擇當作輸入或開漏輸出（Open-Drain）。

? 8 級深度硬件堆棧（Stack）。

? 訪問數據有直接或間接尋址模式。

? 一組 8 位上數定時器（Timer0）包含可編程的預分頻器。

? 一組 10 位下數定時器（Timer1）可選自動重載或連續下數計時。

? 4 路 10 位的脈沖寬度調變輸出（PWM1~ PWM4），PWM1/2/3/4 共享Timer1。

? 一個蜂鳴器輸出（BZ1）。

? 38/57KHz紅外線載波（IR）頻率可供選擇，同時載波之極性也可以通過寄存器選擇。

? 紅外載波發射口。

? 內置上電復位電路（POR）。

? 內置低壓復位功能（LVR）。

? 內置看門狗計時（WDT），可由配置字節（Configuration Word）控制開關。

? 雙時鐘機制，系統時鐘可以隨時切換高速振蕩或者低速振蕩。

? 高速振蕩時鐘:

E_HXT

（超過 6MHz外部高速晶振）

E_XT

（455K~6MHz外部晶振）

I_HRC

（1~20MHz內部高速RC振蕩）

? 低速振蕩時鐘： E_LXT

（32KHz外部低速晶振）

I_LRC

（內部 32KHz低速RC振蕩）

? 四種工作模式可隨系統需求調整電流消耗：正常模式（Normal mode）、慢速模式（Slow mode）、待機模式

（Standby mode）與睡眠模式（Halt mode）。

? 六種硬件中斷：

? Timer0 上溢中斷。

? Timer1 下溢中斷。

? WDT中斷。

? PB輸入狀態改變中斷。

? 外部中斷輸入。

? 低電壓偵測中斷。

? NY8A053E在待機模式（Standby mode）下的六種喚醒中斷：

? Timer0 上溢中斷。

? Timer1 下溢中斷。

? WDT中斷。

? PB輸入狀態改變中斷。

? 外部中斷輸入。

? 低電壓偵測中斷。

? NY8A053E在睡眠模式（Halt mode）下的三種喚醒中斷：

? WDT中斷。

? PB輸入狀態改變中斷。

? 外部中斷輸入。

1.2 NY8A053E 與 NY8A053D 的主要差異

1.3 系統框圖

2. 內存結構

NY8A053E存儲器分為兩類：分別是程序存儲器和數據存儲器。

2.1 程序存儲器

     NY8A053E程序存儲器空間是 1Kx14 位。因此，10 位寬的程序計數器（PC）可以訪問程序存儲器的任何地址。復位地址位于 0x000，軟件中斷地址位于 0x001，內部和外部硬件中斷地址位于 0x008。NY8A053E提供CALL、GOTOA和CALLA等指令去訪問程序空間的 256 個地址。還提供GOTO指令去訪問程序空間 512 個地址，LCALL和LGOTO指令訪問程序空間的任何地址。

  當發生子程序調用或中斷情況時，下一個ROM地址寫入堆棧的頂部。而當執行RET、RETIA或RETIE指令，堆棧頂部的數據會被讀取并加載到程序計數器。

    NY8A053E程序存儲器地址 0x3FE~0x3FF是保留地址。如果用戶在這些地址寫入程序可能會發生無法預期的程序執行錯誤。

NY8A053E程序存儲器地址 0x00E~0x00F是Preset Rolling Code地址。如果用戶在不設置滾碼時可當作程序區使用。

2.2 數據存儲器

   根據用于訪問數據存儲器的指令，數據存儲器可分為三類：R-page特殊功能寄存器（SFR）和通用寄存器（GPR）、F-page特殊功能寄存器、S-page特殊功能寄存器。GPR是由SRAM組成，用戶可以使用它們來存儲變量或計算結果。R-page特殊功能寄存器和數據存儲器分為四組Bank，可透過數據指針寄存器（FSR）來切換Bank。寄存器BK[1：0]為FSR[7:6]，可從四個Bank中選擇其中一個。R-page特殊功能寄存器和數據存儲器可用直接尋址方式和間接尋址方式來進行訪問。數據存儲器使用間接尋址方式如下圖所描述，這種間接尋址方式包含使用INDF寄存器。Bank選擇是由FSR[7:6]決定，地址選擇則是由FSR[5:0]而定。

3. 網址：www.baitaishengshi.com