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比三星、美光更先進(jìn)的232層閃存芯片,我們率先造出來(lái)了

2022-12-05 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
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關(guān)鍵詞: 晶體管 長(zhǎng)存存儲(chǔ) 海力士

邏輯芯片,也就是大家熟悉的手機(jī)Soc、CPU、GPU等芯片,工藝提升的方面主要是進(jìn)行平面微縮,即制程越來(lái)越先進(jìn),XXnm中這個(gè)XX數(shù)字越來(lái)越小。

但在是NAND閃存領(lǐng)域,單純靠微縮晶體管,是不可行的,因?yàn)檠芯勘硎荆?dāng)工藝達(dá)到了15nm左右時(shí),再提升工藝,存儲(chǔ)芯片的性能會(huì)非常不穩(wěn)定,作為存儲(chǔ)芯片,數(shù)據(jù)無(wú)價(jià),穩(wěn)定排第一。

所以不管是三星、還是美光、SK海力士們,這些芯片巨頭們發(fā)現(xiàn),在NAND閃存芯片上,提升工藝是一方面,另外將芯片進(jìn)行3D立體堆疊,更是一個(gè)重要的方向。

所以我們看到介紹存儲(chǔ)芯片時(shí),都是講XX層堆疊,比如64層堆疊,128層堆疊,192層堆疊等,層數(shù)越多,存儲(chǔ)密度越高,技術(shù)越先進(jìn)。

目前全球范圍內(nèi),主要產(chǎn)品還是192層堆疊的NAND閃存芯片,而美光在今年上半年發(fā)布了232層堆疊的芯片,不過(guò)沒(méi)有大規(guī)模量產(chǎn),也就是說(shuō)還是PPT芯片。

但是,近日我們發(fā)現(xiàn),國(guó)產(chǎn)NAND芯片支棱起來(lái)了,232層堆疊的NAND閃存芯片,我們領(lǐng)先于三星、美光率先規(guī)模量產(chǎn)了。

這家廠商就是長(zhǎng)江存儲(chǔ),大家發(fā)現(xiàn)目前在一些國(guó)產(chǎn)SSD中,已經(jīng)發(fā)現(xiàn)大量使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層的NAND閃存,這也是全球率先量產(chǎn)的232層NAND閃存。

這意味著長(zhǎng)期以來(lái),被美日韓壟斷的NAND市場(chǎng),中國(guó)廠商領(lǐng)先打破了壟斷。而2016年才成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ),其實(shí)只花了6年時(shí)間,就實(shí)現(xiàn)了從落后10多年,到領(lǐng)先于全球。

對(duì)此不知道大家怎么看?可見(jiàn),只要國(guó)內(nèi)的企業(yè)肯鉆研,肯努力,就沒(méi)有中國(guó)搞不定的芯片,NAND如此,CPU、GPU也是如此,你覺(jué)得呢?

當(dāng)然,量產(chǎn)了232層的NAND閃存芯片后,還只是邁出了一小步,畢竟我們還需要擴(kuò)大市場(chǎng),但相信有了技術(shù),市場(chǎng)也就不用愁了,揚(yáng)以三星、美光等廠商顫抖吧,等著長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)威吧。