目前網(wǎng)絡(luò)有一種聲音，那就是我們必須自研出EUV光刻機(jī)，只要自研出EUV光刻機(jī)，ASML和美國(guó)就卡不住我們的脖子了，芯片就再也不用愁了。

但真的自研出EUV光刻機(jī)，我們就能夠制造出7nm芯片了么？在我看來，僅靠EUV光刻機(jī)，是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，還差得遠(yuǎn)呢。

芯片制造是一個(gè)非常復(fù)雜的流程，涉及到幾十種設(shè)備，上百道工序，主要可以分為單晶硅片制造、前道工序、后道工序這三部分。

單晶硅片涉及到各種半導(dǎo)體材料，目前國(guó)內(nèi)整體半導(dǎo)體材料的自給率不足20％，特別是14nm以下的半導(dǎo)體材料自給率就更低，高度依賴國(guó)外進(jìn)口。

而前道工序更是重點(diǎn)，有至少8個(gè)工序，分別是擴(kuò)散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化、測(cè)試。

而這里也要用到各種設(shè)備，眾多的材料，光刻機(jī)只是其中的一種設(shè)備，這些設(shè)備大多和光刻機(jī)一樣，是有精度要求的，分別要求達(dá)到7nm。

還有一些材料，也需要達(dá)到7nm，比如光刻膠，7nm及以下芯片制造需要的是EUV光刻膠，但我們自給率為0。

后道工序，這里主要涉及到的是封測(cè)，相對(duì)要求會(huì)低一些，但也是有工藝精度要求的。

綜合起來看，要想芯片制造水平達(dá)到7nm，需要EDA支持7nm，半導(dǎo)體材料也是支持7nm，半導(dǎo)體設(shè)備也支持7nm……

而EUV光刻機(jī)只是其中的一種設(shè)備，就算我們突破了，美國(guó)或其它國(guó)家一樣能夠在其它設(shè)備、材料上卡住我們，因?yàn)槟壳皣?guó)產(chǎn)的半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備，很多在28nm甚至更成熟的工藝，達(dá)到7nm的少之又少。

目前僅是EUV光刻機(jī)卡得最為明顯，卡得最為關(guān)鍵，最為大家所知而已，并不意味著其它設(shè)備或材料不卡了，一旦EUV光刻機(jī)我們有了，美國(guó)在其它設(shè)備或材料上就會(huì)卡住我們的。

要想真正不受限的制造出7nm芯片，我們需要的是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈崛起，達(dá)到7nm才行的，所以現(xiàn)在真不必急著進(jìn)入7nm，并且也進(jìn)入不了。

按照機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，2022年28nm及以下的芯片占全球所有芯片的比例還高達(dá)75％＋，所以我們現(xiàn)在的重點(diǎn)不是先進(jìn)工藝，而是全產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)化率，同時(shí)提升產(chǎn)能，先滿足國(guó)內(nèi)成熟工藝的需求，先解決了這些問題，再向先進(jìn)工藝前進(jìn)，這樣才走得穩(wěn)健。