晶圓制造朝封裝產業(yè)“滲透”，未來也許不止3D、4D
根據(jù) Yole 的定義，如果一個die能在每平方毫米內能集成超過16個pitch小于130μm的I/O。如超高密度 (UHD) 扇出、嵌入式硅橋、硅中介層、3D 堆棧存儲器（例如 3D NAND）、高帶寬存儲器（HBM）和 3D 堆棧 DRAM 就是滿足這些標準的一些封裝平臺。
另一個值得考慮的平臺是 3DSoC，它采用芯片到晶圓 (D2W:die-to-wafer) 的混合鍵合。嵌入式硅橋（embedded Si bridges）有兩種可能的選擇：第一種，稱為 EMIB，由 Intel 提出并嵌入IC基板中；第二種是嵌入模制化合物（mold compound）中的硅中介層，由 TSMC (LSI) 和 SPIL (FOEB) 提供。
具體到硅中介層（ Si interposers）方面，則有兩種產品：一種是傳統(tǒng)的或非有源的，通常由 TSMC、三星和 UMC 提供；另一種是有源的，即英特爾的 Foveros。把EMIB 與 Foveros 結合則產生了 Co-EMIB，這個技術被應用到了英特爾的 Ponte Vecchio處理器上。三星、SK海力士和美光則提供了3D 堆疊 DRAM 和 HBM 內存。
此外，Sony（自2015年起）和OmniVision（自2022年起）這樣的CIS供應商使用W2W混合鍵合生產的CMOS圖像傳感器也是一種3D堆疊封裝平臺，但它們不是高端性能平臺，因為它不能滿足I/O方面密度和間距的要求 ，這代表著其與上述封裝有著相當?shù)牟罹唷?/span>
前途無量的先進封裝市場
與其他封裝平臺相比，高端性能封裝的單位數(shù)量很小，但由于其復雜性導致平均售價較高，因此它產生的收入比例更高。預計到 2027 年收入將超過145億美元，高于 2022 年的 26億美元，這就意味著其在2022到2027年間的CAGR為41%。
這種健康增長歸因于包括云計算、網絡、人工智能、自動駕駛、個人計算和游戲在內的高性能計算終端系統(tǒng)的增加。這些應用都需要用更復雜的節(jié)點生產更大、更復雜的芯片，這些節(jié)點會隨著成本的增加而擴展。這些趨勢促使半導體行業(yè)制定具有高端封裝選項的系統(tǒng)級擴展策略，而不僅僅是擴展 FE 高級節(jié)點。
通過將大型單片 SoC 裸片拆分成更小的芯片并僅縮放最關鍵的電路組件，小芯片以及異構集成是降低縮放成本的一種選擇。這只能通過使用具有高連接密度、高帶寬和良好功率效率的 2.5D 和 3D 集成技術來實現(xiàn)。因此，由于研發(fā)和生產方面的重大進步，微凸塊、硅通孔 (TSV)、銅柱和混合鍵合正在推動高端性能應用中的 IO 密度和功能集成達到新高度。
3D SoC（包括die-to-wafer和die-to-die混合封裝）則被看作是10μm以下pitch技術的下一個突破點。作為前端封裝技術，這使得高端系統(tǒng)級性能與3D DRAM的更密集的3D IC堆疊、異構集成封裝和封裝分區(qū)SoC die成為可能。領先的供應商，尤其是臺積電、三星和英特爾，都以此為目標，提供或計劃提供尖端的混合鍵合解決方案。這也許是半導體和封裝世界之間的真正接觸點。
先進封裝正在向前端靠攏。證據(jù)在于代工廠和 IDM，因為它們正在成為市場上最先進的2.5D 和 3D 封裝解決方案領導者。OSAT 正努力順應這一趨勢，提供創(chuàng)新的先進封裝解決方案，以幫助解決摩爾定律放緩帶來的前端挑戰(zhàn)，但他們要打入混合鍵合市場將是極其困難的，因為他們缺乏前端能力和必要的資源。
當然，我們也必須承認，沒有事情是百分百的。
巨頭競逐先進封裝
和芯片制造環(huán)節(jié)一樣，封裝測試領域壟斷性也較強，從近五年市場份額排名來看，行業(yè)龍頭企業(yè)占據(jù)主要的份額，其中前三大OSAT廠商依然把控半壁江山，市占率合計超50%。
封裝測試環(huán)節(jié)中國企業(yè)表現(xiàn)可圈可點，長電科技(600584.SH) 、通富微電和華天科技(002185.SZ) 占據(jù)全球前十大外包封測廠的三席。
根據(jù)芯思想研究院（ChipInsights）發(fā)布的2021年全球委外封測（OSAT）榜單，長電科技以預估309.5億元營收在全球前十大OSAT廠商中排名第三，中國大陸第一；通富微電排在第五，華天科技排在第六。
長電科技已經布局先進封裝多年，掌握包括系統(tǒng)級SIP技術，高密度扇出型晶圓級技術，倒裝技術，2.5D/3D等并已實現(xiàn)了大規(guī)模的生產。
2021年，長電科技先進封裝（包括除打線與測試外的其它封裝形式）收入占比60%以上，傳統(tǒng)打線30%，剩余的為測試。2022年預期先進封裝的占比進一步提升。
在先進封裝方面，通富微電與AMD密切合作，是AMD的重要封測代工廠，2021年先進封裝營收占比達到70%。公司在Chiplet、WLP、SiP、Fanout、2.5D、3D堆疊等方面均有布局和儲備，已大規(guī)模生產Chiplet產品，在CPU、GPU、服務器領域已實現(xiàn)7nm產品已大規(guī)模量產，5nm產品已完成研發(fā)即將量產。
當前先進封裝技術在整個封裝市場的占比正在逐步提升，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，先進封裝全球市場規(guī)模將會從2018年約276億美元增長至2024年約436億美元，在全球封裝市場的占比也從42.1%左右提升至49.7%左右；
2018-2024年全球先進封裝市場的CAGR約8%，相比同期整體封裝市場（CAGR=5%）和傳統(tǒng)封裝市場，先進封裝市場的增長更為顯著，將為全球封測市場貢獻主要增量。
在整個崛起的先進封裝市場中，掌握主流先進封裝技術的國內企業(yè)將持續(xù)上收益，Chiplet模式也打開封裝企業(yè)業(yè)務拓展和想象空間。
不過市場需要注意的是，Chiplet方案依然有很多技術需要實踐，且并不能代替核心先進制程，國內外先進制程差距仍需要時間和研發(fā)等去消化。
未來規(guī)模將趨于集中
根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2016-2021年全球先進封裝市場CAGR達7.9%，2021年市場規(guī)模為321億美元，Yole預計在2027年達到572億美元的規(guī)模，對應2021-2027年CAGR高達10.1%，高于傳統(tǒng)封裝市場增速。此外，Yole預計到2026年，先進封裝市場將會追趕上傳統(tǒng)封裝的規(guī)模，占整體規(guī)模比例的50%，先進封裝的市場應用規(guī)模不斷擴大。
從成長幅度來看，3D堆疊/嵌入式封裝/晶圓級扇出型為發(fā)展最快速的前三大應用市場，Yole預測2019-2025的CAGR分別為21.3%/18%/16%，此外TSV作為2.5D/3D立體封裝會大量使用到的互連技術，Yole預測2019-2025的CAGR為29%，增長幅度大幅領先其他技術。
由于廠商需要長期的大額資本開支，全球委外封裝業(yè)務(OSAT)有較為集中的特性。在行業(yè)龍頭割據(jù)下，封測產業(yè)從地理位置上也呈現(xiàn)高度集中的態(tài)勢，2020年中國臺灣、中國大陸、美國市占率分別為52%/21%/15%，合計占據(jù)88%的市場份額。
2021年，全球前十大委外封測廠(OSAT)分別為日月光（含矽品)、安靠科技、長電科技、力成科技、通富微電、華天科技、智路封測、京元電子、南茂、頎邦，前八大廠商合計占據(jù)全球77.5%的市場份額。
從產品結構來看，日月光、長電科技更多的是高端數(shù)字IC的封測，包含手機芯片/處理器/CPU/射頻芯片等，安靠則多是汽車電子/射頻等產品封裝測試，三家企業(yè)為全球前三大封測廠，也是先進封裝發(fā)展最為突出的封測廠。
通富微電主力營收大多來自CPU/GPU/服務器和網通設備相關封裝測試，而力成科技則是更多都來自全球存儲器巨頭的存儲器封測訂單，華天科技則是以功率、射頻封裝、CIS為主，各封裝廠均有自己主要的封測領域。
值得一提的是，除了傳統(tǒng)委外封測代工廠(OSAT)外，晶圓代工廠以及IDM公司也都相繼成立自己的封裝廠，開發(fā)高端的封裝技術，包括臺積電、英特爾、三星等企業(yè)都已展開布局多年。中信證券徐濤8月9日研報中表示，在后摩爾時代，封裝行業(yè)變成兵家必爭之地，未來將會演變成晶圓制造廠有自己從制造到封裝的一體化工藝程序，而OSAT則是強者恒強，有望更加集中。
