近日，美國又將28家中國企業(yè)列入了“實體清單”進行打壓，比如全球最牛的AI服務器廠商浪潮集團，以及中國最有名的CPU廠商之一龍芯等。

于是很多網(wǎng)友表示，國產(chǎn)芯片究竟發(fā)展到哪一步了，為何美國不斷的打壓，難道我們的技術，真的差那么遠么？

今天就給大家聊一聊，國產(chǎn)芯片究竟發(fā)展到哪一步了。

芯片目前分為三個主要環(huán)節(jié)，分別是設計、制程、封測這。

設計水平，目前國內(nèi)與全球水平是一致的，那就是達到了3nm，這個估計大家不會懷疑，畢竟之前華為麒麟芯片，與高通、蘋果芯片是同步的。

去年上半年三星量產(chǎn)3nm芯片時，首批客戶就是國內(nèi)的礦機廠，所以3nm芯片，我們?nèi)ツ昃湍軌蛟O計出來了，設計這一塊，我們不落后。

但是，要注意的是，設計芯片，需要指令集、EDA、IP核等，這一塊國內(nèi)相對是較落后的，國內(nèi)的芯片，大多使用ARM指令集，美國的EDA，還有ARM的IP核等，這一塊差距相當大。

制造這一塊，對外公開的數(shù)據(jù)是中芯已經(jīng)實現(xiàn)了14nm工芯的量產(chǎn)，而梁孟松曾表示，已完成7nm工藝的研發(fā)任務，就等EUV光刻機到貨了。

但是大家特別要注意在制造這一塊，實現(xiàn)14nm芯片的量產(chǎn)，是基于ASML的光刻機，美國的一些半導體設備，日本的一些半導體材料才行的。

如果采用國產(chǎn)設備、國產(chǎn)材料，目前的真實技術，連28nm都實現(xiàn)不了，因為國產(chǎn)光刻機才達到90nm，還有一些設備，最多也就是28nm。

在材料方面，像光刻膠，國產(chǎn)才剛實現(xiàn)ArF光刻膠，也就是65nm左右，可以說制造水平要是考慮國產(chǎn)化，最多在65nm，甚至還在90nm。

最后說說封測這一塊，封測這一塊，門檻相對最低，去年的時候，天水華天、通富微電、長電科技就表示，已經(jīng)實現(xiàn)了3nm芯片的封測。

而今年年初，像長電科技、通富微電均表示，實現(xiàn)了4nm的Chiplet芯片的封測，而封測設備，并不那么難，可以說國內(nèi)封測水平，與國際水平基本也是一致的。

可見，與全球水平相比，我們差的是EDA、指令集、IP核等，還有光刻機等設備、光刻膠等材料，并且差距相當相當大，比如光刻機要僅90nm，光刻膠僅65nm。

這也是為何美國不斷打壓的原因，因為只要卡住光刻機，就卡住了所有，我們有再牛的芯片設計水平、封測水平，但只要制造不出來，一切就都是假的。