三星電子芯片業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人表示，三星將在五年內(nèi)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電，在芯片代工領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。

據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁兼負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun在韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）的演講中表示：“我們的代工技術(shù)比臺(tái)積電落后一兩年。然而一旦臺(tái)積電加入到2nm技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)中，三星將處于領(lǐng)先地位，在五年內(nèi)，我們可以超越臺(tái)積電。”

據(jù)悉，三星去年在全球率先將3nm制程節(jié)點(diǎn)應(yīng)用于以GAA晶體管結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的高級(jí)芯片生產(chǎn)，計(jì)劃從2025年開始批量生產(chǎn)基于GAA架構(gòu)的2nm芯片。

Kyung Kye-hyun稱，“三星的4nm技術(shù)落后臺(tái)積電兩年，而我們的3nm技術(shù)大約落后一年。但當(dāng)臺(tái)積電進(jìn)入2nm工藝時(shí)，情況將發(fā)生變化。客戶對(duì)GAA技術(shù)很滿意，幾乎所有的大公司都在與我們合作。”

與此同時(shí)，Kyung Kye-hyun指出，三星也在努力提高其芯片封裝技術(shù)，以保持領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，“隨著半導(dǎo)體工藝小型化變得越來越困難，性能最終將通過封裝來提高。”他補(bǔ)充說道。

另外，對(duì)于美國(guó)對(duì)芯片制造商在華業(yè)務(wù)收緊的規(guī)定，Kyung Kye-hyun表示三星可以承受，“雖然我們?cè)谖靼驳墓S投資需要獲得批準(zhǔn)，但我認(rèn)為這不會(huì)對(duì)我們的整體業(yè)務(wù)造成任何重大壓力。”