盡管半導體行業從 2022 年底開始放緩，但臺積電的晶圓出貨量仍實現增長。該公司去年出貨了 1530 萬片 12 英寸等效晶圓，年增長率為 7.7%。此外，代表先進芯片制造技術（7 納米以下）的晶圓比例占總組合的 53%，而 2021 年占總晶圓出貨量的 50%。

總體而言，臺積電的出貨量占全球所有非內存半導體產品的近三分之一，即30%，其份額增加了4%。

轉向 2 納米或 N2，臺積電表示計劃明年進入該技術的風險生產，并在 2025 年轉向量產。最初將在臺灣的新竹和臺南市生產。

深入研究 N2 的性能，臺積電表示，新芯片將在類似于 N3E 工藝的功率水平下提供高達 15% 的性能提升。N3E 是臺積電 3 納米節點的高級變體，該公司計劃在今年下半年開始量產該技術。以與 N3E 相似的速度，N2 將提供高達 30% 的功耗改進 - 這一指標無疑將吸引臺積電最大的 Apple MacBook 系列處理器客戶。

2nm的競爭格局

臺積電表示，N2 將使用納米片晶體管，最初將在臺灣的新竹和臺南市生產。

臺積電的競爭對手三星代工廠認為，向納米片的轉變將給該公司帶來重大的技術限制，這可能會限制其成功提高產量的能力。

5月4日在KAIST（韓國科學技術院），三星設備解決方案部門總裁 Kye Hyun Kyung承認三星的代工技術“落后于臺積電”。他解釋說，三星的 4nm 技術比臺積電落后大約兩年，而其 3nm 工藝則比臺積電落后大約一年。

不過他補充認為，由于三星已經開始使用 GAAFET（或納米片）制造芯片，他的該公司比臺積電有優勢，可以使其在五年內趕上TSMC。

三星可能在未來五年內跑贏臺積電的想法，源于三星打算從 3nm 制造工藝開始使用 Gate All Around（GAA）技術。相比之下，臺積電在3nm制程仍使用FinFET技術，要到2nm才會采用GAA技術，三星則是在3納米就已經使用GAA技術，但整體良率（合格率）不如臺積電，因此無法順利彎道超車。