SiC 技術(shù)重磅突破！瀚天天成全球首發(fā) 12 英寸碳化硅外延晶片。相較于當前主流的 150mm（6 英寸）碳化硅外延晶片，以及尚處產(chǎn)業(yè)化推進階段的 200mm（8 英寸）產(chǎn)品，300mm（12 英寸）晶片憑借直徑的顯著擴容，在相同生產(chǎn)工序下，單片可承載的芯片（器件）數(shù)量實現(xiàn)大幅提升 —— 較 6 英寸晶片提升至 4.4 倍，較 8 英寸晶片提升至 2.3 倍。這一突破不僅能顯著提高下游功率器件的生產(chǎn)效率，更將大幅降低碳化硅芯片的單位制造成本，助力瀚天天成構(gòu)建技術(shù)領(lǐng)先的核心競爭優(yōu)勢，為碳化硅產(chǎn)業(yè)規(guī)模化、低成本應(yīng)用奠定關(guān)鍵基礎(chǔ)。

第三代半導體碳化硅比第一代硅半導體擁有更優(yōu)的高頻、高壓、高溫能力，能夠?qū)崿F(xiàn)系統(tǒng)更低的能耗、更小的體積和重量。2025年全球擁有約200條12英寸硅晶圓生產(chǎn)線，預測全球銷售超過1億片12英寸硅晶圓，其中包括眾多的硅功率及模擬芯片生產(chǎn)線。激烈的碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)競爭預期也將進入12英寸時代，技術(shù)領(lǐng)先的企業(yè)將形成強大的競爭優(yōu)勢。

瀚天天成是中國首家實現(xiàn)商業(yè)化3英寸、4英寸、6英寸碳化硅外延晶片批量供應(yīng)的生產(chǎn)商。2023年5月成為大中華區(qū)首家突破8英寸碳化硅外延晶片技術(shù)的生產(chǎn)商，2024年成為全球唯一實現(xiàn)8英寸碳化硅外延晶片批量銷售的企業(yè)。2025年10月入選國家級制造業(yè)(碳化硅外延晶片)單項冠軍公示名單。是國家級專精特新重點小巨人企業(yè)（第一年第一批）。公司主導編寫了全球首個及目前唯一的碳化硅外延國際SEMI標準《4H-SiC同質(zhì)外延片標準》（SEMI M092-0423 Specification for 4H-SiC Homo-epitaxial Wafer）。公司產(chǎn)品用于制備碳化硅功率器件，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、AI電源、軌道交通、智能電網(wǎng)及航空航天等領(lǐng)域。根據(jù)灼識咨詢研報，公司2023年已成為全球最大規(guī)模的碳化硅外延晶片供應(yīng)商，2024 年全球市場份額超過 31%。

據(jù)了解，瀚天天成依托研發(fā)團隊的自主技術(shù)攻堅，在廈門翔安區(qū)碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)園成功開發(fā)出全球首款 12 英寸高質(zhì)量碳化硅外延晶片。該產(chǎn)品的核心供應(yīng)鏈實現(xiàn)國產(chǎn)化協(xié)同：外延設(shè)備采用晶盛機電旗下求是半導體的國產(chǎn)設(shè)備，襯底則由晶盛機電另一子公司浙江晶瑞（SuperSiC）提供。目前，瀚天天成已啟動 12 英寸碳化硅外延晶片的批量供應(yīng)籌備工作。產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標上表現(xiàn)優(yōu)異：外延層厚度不均勻性控制在 3% 以內(nèi)，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm 芯片良率大于 96%，可充分滿足下游功率器件領(lǐng)域的高可靠性應(yīng)用需求。