特朗普政府叫停中資關聯企業并購案背后，亦是其對磷化銦（InP）戰略價值的高度警惕。在AI浪潮中，磷化銦作為兼具光電轉換效率高、抗輻射能力強等卓越性能的"光學半導體"，正成為光通信、AI算力、激光雷達等尖端領域的核心支撐，從而牽動大國科技競爭神經。而國內企業在技術攻關與產能擴張等密集動作上，正結合多重驅動力加速國產替代和突圍進程。

磷化銦材料攪動地緣風云

美國政府對涉華科技并購的精準打壓，在HieFo（瀚孚光電）收購Emcore一案中展現得淋漓盡致，即近日以行政命令叫停該交易。其核心理由依據有三：一是認定收購方HieFo受中國公民實際控制，其核心管理層具備中國背景，存在技術外泄隱患；二是指控交易未向CFIUS申報，通過追溯審查認定存在知識產權、專有技術轉移風險；三是強調Emcore生產的磷化銦芯片可能從美國轉移，而該企業長期深度嵌入美國國防供應鏈，相關技術或危及國家安全。

值得注意的是，美方始終未披露任何可佐證“安全威脅”的具體證據，僅以“可信證據”籠統定性。同時，這也是CFIUS對未申報的敏感行業交易實施更嚴格的“事后追責”典型案例。

此次美國禁令的動因背景，原因在于磷化銦材料的戰略屬性與對華科技競爭的深層焦慮。

磷化銦被稱作“光學半導體”，具有電子遷移率高、耐輻射性強、光電轉換效率優異等特性，是軍事通信、雷達探測、衛星導航等國防領域的核心材料，同時也是AI算力中心、5G/6G光通信等民用尖端領域的關鍵支撐，已成為構建現代數字世界不可或缺的“光學基石”。

Emcore作為長期服務美國軍方的企業，其旗下磷化銦晶圓制造技術即便涉及民用業務，也被美方納入“敏感技術紅線”范疇。彼時Emcore因持續虧損出售非核心業務求生，HieFo通過管理層收購承接其四十余年光電技術積淀，本是正常商業行為卻因“澀華關聯”標簽被過度政治化解讀。而這也凸顯出美國對中資涉美高科技投資的“穿透式”審查已成常態。

在中美科技競爭加劇的背景下，美國先后通過芯片出口限制、關稅加征、強化外資審查、限制技術外流等手段，遏制中國在半導體產業的發展進程，試圖維持其全球科技霸權。此次針對金額僅292萬美元的小額并購案出手，更凸顯其對半導體材料尖端技術的全面封鎖意圖。

無疑，這一禁令事件將產生系列連鎖影響。對HieFo而言，已完成的資產收購被強制撤銷，需在短時間內剝離資產，業務擴張計劃徹底擱淺，還面臨運營受限、合規審計等多重壓力；至于Emcore，則錯失資金注入機遇，民用芯片業務剝離進程受阻，經營困境進一步加劇。對全球產業生態而言，美方的單邊干預不僅打破市場交易的公平性與可預期性，加劇跨境科技投資的不確定性，還將推高國際技術合作信任成本，同時倒逼國內產業界堅定自主研發。

AI時代戰略地位舉足輕重

隨著AI算力需求呈指數級增長，磷化銦的戰略重要性愈發凸顯。作為光通信、激光雷達等領域的核心材料，磷化銦是連接AI算力中心與終端設備的“光學橋梁”——在數據中心內部，800G及以上高速光模塊需依賴磷化銦激光器芯片實現海量數據的高速傳輸。其中單個800G光模塊需要4-8顆磷化銦激光器芯片，而大型數據中心通常部署數萬模塊。

例如英偉達Quantum-X交換機量產：單臺設備配備18個硅光引擎，每個引擎需磷化銦襯底制造光器芯片，1.6T光引擎對磷化銦襯底面積需求較800G模塊提升300%以上。

此外，在自動駕駛領域，磷化銦基激光器是激光雷達的核心組件，直接決定車輛感知系統的精度與穩定性。同時，在量子計算、衛星通信等前沿領域，磷化銦的獨特性能也無可替代，成為其關鍵基礎材料。因此，隨著新興技術和應用迅速發展，磷化銦的市場需求爆發式增長。

據相關數據預測，2025年全球數據中心磷化銦芯片需求將達3億顆，是2022年的3倍；在汽車激光雷達領域，磷化銦器件滲透率將從目前的20%提升至2025年的45%；2022-2028年全球磷化銦襯底市場規模將從30億美元增至64億美元，年復合增長率達13.5%。

目前，磷化銦已成為各國半導體產業爭奪的戰略性高價值賽道，而且銦已被中國、歐盟、美國和日本等先后列為關鍵礦產。從全球產業格局來看，長期呈現“歐美日主導、中國追趕”的態勢，日本住友、美國AXT等企業壟斷了全球70%的磷化銦產能。盡管我國此前長期依賴進口，但近年來國內企業通過技術突破與產能擴張實現快速崛起，逐步打破國際壟斷。

這背后得益于我國在國家政策層面多維加碼支持：將磷化銦襯底納入《重點新材料首批次應用示范指導目錄》，通過政府采購政策明確國產化率要求；在《2025年關稅調整方案》中，下調磷化銦外延片生產用石墨配件進口關稅，降低企業生產成本；科技部牽頭實施“戰略性礦產資源開發利用”重點專項，支持6N級以上超高純銦制備技術研發，推動產業鏈協同突破。這一系列政策利好為磷化銦產業發展營造了更好的環境，加速了技術突破與國產化進程。

另一方面，從特朗普政府當前強行叫停涉華并購的政治干預，到國內企業在技術突破與產能布局等方面的加速沖刺，磷化銦產業的發展演進，既彰顯了其在尖端科技領域的不可替代性，也折射出中國在半導體關鍵材料領域實現自主可控的迫切性與搶抓歷史機遇的前瞻性。

多重驅動力加速國產替代

在磷化銦產業發展上，我國目前已構建起資源、技術、生產協同的多維度發展基石和積累。

在資源保障方面，我國是全球最大的原生銦生產國，銦產量占全球比重約70%。錫業股份、株冶集團、華錫有色等企業構成穩定的上游供應體系，其中錫業股份銦金屬保有資源儲量高達4821噸，在全球精銦、原生銦市場占據重要份額，為磷化銦生產提供先天資源優勢。

在技術攻堅層面，國內已突破磷化銦單晶制備、外延生長等核心技術瓶頸。此外，2025年8月九峰山實驗室與云南鑫耀合作的6英寸磷化銦襯底項目取得關鍵性進展，在大尺寸磷化銦材料制備上首次從核心裝備到關鍵材料完全國產化，其FP激光器、PIN探測器等產品性能指標已躋身國際前列，徹底打破日本企業在這一領域的長期壟斷。

在政策支持與市場需求雙重驅動下，疊加技術突破、資源保障與產業協同，國內企業紛紛加碼磷化銦產能布局，行業投資熱度持續攀升。據行業測算，到2026年我國磷化銦相關產業投資將超200億元，形成年產50萬片襯底、1億只器件的供給能力。頭部企業的密集布局，正推動我國磷化銦產業從實驗室研發向規模化量產跨越，并更廣泛應用于各前沿領域。

其中，三安光電擬募集65億元重點擴充磷化銦產線，其武漢基地已建成月產1萬片的6英寸磷化銦生產線；云南鍺業計劃投資15億元建設年產20萬片磷化銦襯底基地，2024年實際產量達6.44萬片，2025年計劃將產能拓展至8.30萬片（含6英寸產品）；云南鍺業子公司云南鑫耀與九峰山實驗室深度合作，其6英寸磷化銦襯底產品即將邁入量產階段；陜西銦杰半導體攻克磷化銦材料合成技術和制備工藝的“卡脖子”難題，打破核心材料依托進口局面，目前已實現穩定量產。

進一步來看，國內主要磷化銦企業各展所長，已形成了差異化競爭格局。

其中，三安光電憑借領先的MOCVD外延工藝與芯片制造工藝，產品覆蓋光通信、激光雷達等多個領域，已進入華為、中興等核心客戶供應鏈，其磷化銦光芯片具備較顯著性價比優勢；云南鍺業依托與中科院半導體所的合作，突破了磷化銦晶片核心技術，同時子公司云南鑫耀獲得華為哈勃戰略投資，6英寸高品質磷化銦單晶片量產后有望大幅提升國內市場占有率；晶瑞電材則通過布局磷化銦拋光片項目完善產業鏈細分環節，為產業協同發展提供支撐。

結語

在AI算力爆發與全球科技競爭交織的當下，磷化銦作為化合物半導體核心材料，正成為大國博弈的關鍵籌碼與產業升級的重要支點之一。而依托資源稟賦、政策支持與企業創新，我國已在磷化銦領域構建起從原材料到器件的完整產業鏈雛形，推動國產替代進程持續加速。

未來，隨著關鍵技術持續迭代和產能的規?；尫?，中國磷化銦產業將突破國際壟斷，不斷提升國產化率，不僅為AI、5G等新興產業提供關鍵支撐，更將推動中國在全球半導體產業格局中占據更重要地位，穩步實現從“跟跑”到“并跑”、最終邁向“領跑”的產業升級。

部分參考材料：《中國磷化銦行業發展現狀研究與投資前景分析報告（2025-2032年）》，觀研報告網。