隨著AI浪潮席卷而來(lái)，全球存儲(chǔ)器供應(yīng)吃緊。存儲(chǔ)器大廠美光表示，晶圓廠擴(kuò)建緩慢，以及客戶繁復(fù)的認(rèn)證流程，都讓存儲(chǔ)器當(dāng)前短缺局面不太可能在2028年前得到緩解。

美光行動(dòng)與用戶端業(yè)務(wù)部行銷副總裁摩爾（Christopher Moore）11日接受WCCFtech采訪時(shí)表示，新建晶圓廠、完成客戶認(rèn)證，以及滿足AI客戶嚴(yán)格的技術(shù)與良率標(biāo)準(zhǔn)，都會(huì)大幅增加工廠在大量投產(chǎn)前的空窗期。

這也意味，美光位于愛(ài)達(dá)荷州、最快預(yù)計(jì)2027年開始生產(chǎn)DRAM的晶圓廠，其實(shí)仍需等待所有相關(guān)批準(zhǔn)完成后才能實(shí)質(zhì)投產(chǎn)；若要實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能大幅提升，實(shí)際上得等到2028年才有可能。至于該公司將在紐約州興建的三座超級(jí)晶圓廠，則分別預(yù)計(jì)在2030、2033及2045年啟用，形同遠(yuǎn)水救不了近火。

摩爾也警告，僅靠擴(kuò)廠并不足以快速紓解當(dāng)前存儲(chǔ)器短缺。最大瓶頸之一，在于企業(yè)客戶需要多種容量規(guī)格的模組。舉例來(lái)說(shuō)，若像蘋果這樣客戶同時(shí)下單8GB、12GB、16GB的產(chǎn)品，工廠便必須頻繁切換產(chǎn)線設(shè)定，進(jìn)一步降低生產(chǎn)效率。

此外，在存儲(chǔ)器容量切換之外，由于AI需求暴增，切換不同世代DRAM的頻率也比以往更高，意味美光必須更頻繁調(diào)整新設(shè)備與生產(chǎn)流程，影響程度更大，使產(chǎn)線生產(chǎn)情況更加雪上加霜。

因此，摩爾表示，他已將產(chǎn)線狀況告知客戶，盡量讓需求保持穩(wěn)定，以便產(chǎn)能也能維持穩(wěn)定，進(jìn)而最大化整體生產(chǎn)量。

在公司發(fā)展策略上，美光雖然將于2月停產(chǎn)自有品牌Crucial的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤（SSD）與RAM產(chǎn)品線，但強(qiáng)調(diào)仍會(huì)通過(guò)與OEM廠商合作的方式維持市占率，并持續(xù)供應(yīng)LPDDR5模組（Low Power DDR，低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率存儲(chǔ)器）給Dell、華碩等PC大廠。

在維持與各大PC廠緊密合作的同時(shí)，美光也積極布局AI產(chǎn)業(yè)所帶來(lái)的爆炸性需求。摩爾指出，數(shù)據(jù)中心與企業(yè)市場(chǎng)快速成長(zhǎng)，AI相關(guān)產(chǎn)品在存儲(chǔ)器總需求中的占比，已由30％～35％攀升至50％～60％，成為美光優(yōu)先布局的關(guān)鍵領(lǐng)域。