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中微半導推出首款非易失性存儲器芯片,填補Flash領域空白

2026-01-20 來源:電子工程專輯
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關鍵詞: 中微半導 SPI NOR Flash芯片

近日,中微半導體(深圳)股份有限公司(以下簡稱“中微半導”)發布了一則重磅公告,宣布即將推出其首款4M bit容量的低功耗SPI NOR Flash芯片。這一新產品的發布,不僅填補了中微半導在Flash領域的產品空白,更是其實施“MCU+”戰略的又一重要里程碑。

據公告及多方報道,中微半導此次推出的SPI NOR Flash芯片產品型號為 CMS25Q40A,具有顯著的技術優勢和市場適配性。容量為 4M bit 的SPI NOR Flash 芯片,存儲陣列劃分為 2048 個可編程頁,每頁容量為 256 字節。單次編程操作最多可寫入 256 字節數據。支持多種擦除方式,包括 4 頁一組的1KB 扇區擦除、16 頁一組的 4KB 扇區擦除、128 頁一組的 32KB 塊擦除、256頁一組的 64KB 塊擦除,以及整片擦除。具有低成本、低功耗、SPI 高速讀寫、掉電不丟失等特點,適配小存儲需求場景,包括嵌入式 MCU 程序存儲、小型智能硬件配置存儲、低功耗 IoT 終端存儲以及外設/模塊配套存儲等場景。

具體性能參數如下:

1. 采用單電源供電,電壓范圍為 1.65V 至 3.6V。

2. 全系列產品均采用小型封裝,節省空間。

3. 支持標準串行外設接口(SPI),同時兼容高性能的雙路/四路輸出模式

以及雙路/四路輸入輸出(I/O)SPI 模式。

4. 支持最高 120MHz 的 SPI 時鐘頻率。

5. 芯片配備保持引腳、寫保護引腳,并支持可編程寫保護功能,可靈活控

制存儲陣列的頂部、底部或互補區域的寫保護狀態。

6. 支持標準 SPI 及高性能雙路/四路 I/O/SPI 接口,兼具靈活的擦寫方式

與可靠的保護機制。

7. 安全特性:配備 4×256=1024 字節安全存儲器、支持一次性可編程鎖定,

內置 64 位唯一序列號。

實施“MCU+”戰略,豐富產品矩陣

中微半導作為國內領先的智能控制解決方案供應商,一直以微控制器(MCU)研發與設計為核心,專注于為消費電子、智能家電、工業控制及汽車電子等各類智能終端設備提供高性能、低功耗、高集成度的芯片產品及系統解決方案。

此次新產品的發布,正是中微半導實施“MCU+”戰略的最新成果。通過將MCU技術與Flash存儲技術相結合,中微半導不僅填補了自身在Flash領域的產品空白,更進一步豐富了公司的產品矩陣和形態。這一舉措不僅拓寬了公司的產品應用場景和使用范圍,也為公司未來的發展奠定了堅實的基礎。

核心技術積累深厚,市場表現強勁

公開資料顯示,中微半導經過20余年的自主創新,已擁有五項核心技術,包括高可靠性MCU技術、高性能觸摸技術、高精度模擬技術、電機驅動芯片技術及底層算法、低功耗技術等。同時,公司積累的自主IP超過1000個,可供銷售的芯片超過3500余款。2024年,公司芯片總出貨量約達24億顆,市場表現強勁。

此次新產品的推出,無疑將進一步鞏固和提升中微半導在智能控制領域的綜合競爭力。通過不斷的技術創新和產品開發,中微半導正逐步成為行業內的領軍企業。

風險提示

盡管新產品具有諸多優勢和市場潛力,但中微半導在公告中也提示了相關風險。公司表示,新產品未來要實現大規模銷售,存在市場推廣與客戶開拓不及預期的風險。同時,NOR Flash市場規模相對較小且競爭日趨激烈,公司作為新進入者,可能出現虧損性推廣影響公司整體盈利能力的風險。

此外,巨大的研發投入可能影響傳統產品的更新迭代速度,從而出現拖累傳統領域優勢產品競爭力的風險。還有存儲產品系列化進展、結果和市場不確定性風險,以及產品周期性引起公司營收周期性波動的風險。