在第三代半導(dǎo)體技術(shù)競爭日趨激烈的背景下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又迎來一項關(guān)鍵合作。世界先進(jìn)積體電路股份有限公司（以下簡稱“世界先進(jìn)”）于1月28日宣布，已與臺灣積體電路制造股份有限公司（臺積電）正式簽署高壓（650V）與低壓（80V）氮化鎵（GaN）制程技術(shù)的授權(quán)協(xié)議。此項合作標(biāo)志著雙方在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局進(jìn)一步深化，旨在加速新一代高效能電源解決方案的開發(fā)與商業(yè)化進(jìn)程。

補全技術(shù)拼圖，構(gòu)建完整電壓平臺

據(jù)世界先進(jìn)公告指出，此次技術(shù)授權(quán)將直接助力公司加速開發(fā)并拓展新一代氮化鎵功率元件，目標(biāo)市場聚焦于對電能轉(zhuǎn)換效率要求極高的數(shù)據(jù)中心、車用電子、工業(yè)控制及能源管理等領(lǐng)域。

此次授權(quán)的戰(zhàn)略意義在于補全了世界先進(jìn)在氮化鎵領(lǐng)域的技術(shù)版圖。通過此次授權(quán)，世界先進(jìn)得以將其現(xiàn)有的硅襯底功率氮化鎵（GaN-on-Si）制程能力擴展至650V的高壓應(yīng)用領(lǐng)域，從而形成一個完整的GaN-on-Si技術(shù)平臺。更重要的是，結(jié)合世界先進(jìn)原本已擁有的新襯底功率氮化鎵（GaN-on-QST）制程平臺，公司將成為全球首家、也是目前唯一一家能夠同時提供基于硅襯底和新襯底兩種不同技術(shù)路線的氮化鎵晶圓制造服務(wù)的公司。

這一獨特的雙平臺優(yōu)勢，使得世界先進(jìn)能夠為客戶提供覆蓋自低壓（小于200V）、中高壓（650V）乃至超高壓（1200V）的完整電壓范圍產(chǎn)品解決方案，為其在高效率電能轉(zhuǎn)換市場的競爭奠定了難以復(fù)制的技術(shù)基礎(chǔ)。

硅基逼近極限，氮化鎵乘勢而起

本次合作的深層驅(qū)動力，源于半導(dǎo)體行業(yè)對更高能效的持續(xù)追求。隨著傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體逐漸逼近其材料物理極限，以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料憑借其寬禁帶特性，展現(xiàn)出高效率、高功率密度、高開關(guān)頻率及更小體積等顯著優(yōu)勢，正成為突破現(xiàn)有電源技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵。尤其是在快速充電、5G通信基站、新能源汽車及工業(yè)電源等場景中，氮化鎵技術(shù)已成為實現(xiàn)設(shè)備小型化、輕量化和高效化的核心路徑。

世界先進(jìn)正積極構(gòu)建覆蓋15V至1200V的寬電壓氮化鎵制程技術(shù)版圖。公司表示，通過本次授權(quán)獲得的技術(shù)，將被精準(zhǔn)打造為一個能與公司現(xiàn)有制程平臺無縫接軌的氮化鎵制程平臺，并將依托其成熟的八英寸晶圓生產(chǎn)線進(jìn)行工藝驗證與優(yōu)化，以確保最終量產(chǎn)時的制程穩(wěn)定性與高良率。

產(chǎn)業(yè)影響與展望

根據(jù)規(guī)劃，相關(guān)的技術(shù)開發(fā)與整合工作預(yù)計將于2026年初正式啟動，并瞄準(zhǔn)在2028年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

對于此次授權(quán)，世界先進(jìn)總經(jīng)理尉濟(jì)時博士表示：“此次技術(shù)授權(quán)不僅展現(xiàn)了世界先進(jìn)與臺積電之間持續(xù)且深入的技術(shù)交流與合作成果，更象征著我們致力于推動完整氮化鎵產(chǎn)品解決方案、強化在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域戰(zhàn)略布局的堅定承諾。”他進(jìn)一步強調(diào)，通過整合此項技術(shù)，世界先進(jìn)將能更快速地響應(yīng)客戶在高效能電能轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域日益增長的需求，共同推動半導(dǎo)體電源技術(shù)邁向新世代，助力實現(xiàn)綠色能源與智慧應(yīng)用的未來愿景。

此次臺積電向世界先進(jìn)授權(quán)氮化鎵技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新的一個典型案例。對于臺積電而言，通過授權(quán)其領(lǐng)先的氮化鎵技術(shù)給緊密的合作伙伴，有助于進(jìn)一步擴大其技術(shù)生態(tài)圈的影響力，加速GaN技術(shù)的市場滲透與應(yīng)用多元化。此前，臺積電也已與其他國際大廠簽署過類似的氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議，顯示出其在該領(lǐng)域推行開放合作策略的一貫性。

對于世界先進(jìn)而言，此舉無疑是其多元化特色工藝平臺戰(zhàn)略的重要落子。在全球節(jié)能減排趨勢不可逆轉(zhuǎn)的當(dāng)下，高效功率半導(dǎo)體市場需求持續(xù)看漲。成功整合并量產(chǎn)雙襯底氮化鎵工藝后，世界先進(jìn)不僅能鞏固其在電源管理IC代工領(lǐng)域的既有優(yōu)勢，更有望在蓬勃發(fā)展的車載、能源基礎(chǔ)設(shè)施等高端市場開辟全新的增長曲線。