近日，關(guān)于英特爾可能重回蘋果陣營，為其部分M系列處理器和非Pro版iPhone芯片提供芯片的傳聞引發(fā)廣泛關(guān)注。然而，業(yè)內(nèi)人士的最新觀點已基本否定了蘋果iPhone芯片采用英特爾先進(jìn)制程工藝的可能性。

過去幾周，GF證券和DigiTimes等媒體均披露，蘋果可能會選擇英特爾的18A-P工藝用于其最低端的M系列芯片，預(yù)計將于2027年出貨，以及用于非Pro版iPhone芯片，預(yù)計在2028年推出。GF證券還進(jìn)一步指出，蘋果的定制ASIC（專用集成電路）預(yù)計將于2028年推出，將采用英特爾的EMIB封裝技術(shù)。

英特爾的18A-P工藝是其首個支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術(shù)的節(jié)點，該技術(shù)通過TSV（硅通孔）堆疊多個芯片裸片。然而，與臺積電不同的是，英特爾在其先進(jìn)的18A和14A節(jié)點上全面采用了背面供電技術(shù)（BSPD），而臺積電則提供了部分帶有BSPD和部分不帶BSPD的節(jié)點，以豐富其整體產(chǎn)品組合。

盡管BSPD可以提供一定的性能提升，例如通過背面更短、更厚的金屬路徑為芯片供電，降低電壓降，實現(xiàn)更高、更穩(wěn)定的工作頻率，同時釋放正面布線軌道，從而提高晶體管密度或減少擁塞和布線長度，但對于移動芯片而言，這種方法帶來的性能提升相當(dāng)有限。

更重要的是，這種方法會導(dǎo)致更嚴(yán)重的自熱效應(yīng)（SHE），需要為芯片提供額外的冷卻。實際上，所需的散熱器必須保持在“大約 20°C 以下，才能使BSPD在熱點處達(dá)到相同的芯片溫度（因為垂直熱擴(kuò)散很差，但橫向更差，現(xiàn)在沒有厚的硅襯底），而在許多依賴空氣冷卻或有最大允許外殼溫度的應(yīng)用中，這是根本不可能的。”（引自IanD在該線程中的評論）

由于這些散熱問題，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，英特爾制造蘋果iPhone芯片的可能性“幾乎為零”，正如Jukan在其對X的評論中所強(qiáng)調(diào)的那樣。當(dāng)然，M系列處理器仍有可能采用英特爾的工藝。