在全球存儲芯片持續(xù)緊缺、AI驅(qū)動需求激增的背景下，中國領(lǐng)先的NAND Flash制造商——長江存儲（YMTC）正以驚人速度推進(jìn)其武漢三期晶圓廠建設(shè)。

據(jù)業(yè)內(nèi)最新消息，原定于2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的三期項目，有望提前至2026年下半年正式啟動，比原計劃整整提前一年。

長江存儲三期項目于2025年9月正式動工，由長江存儲與湖北國資聯(lián)合出資成立的“長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司”主導(dǎo)，注冊資本高達(dá)207.2億元。項目自啟動以來進(jìn)展迅猛：截至2026年初，工地已進(jìn)入潔凈廠房設(shè)備安裝階段，生產(chǎn)設(shè)備采購與產(chǎn)線調(diào)試同步展開。從破土動工到設(shè)備搬入僅用一年多時間，在半導(dǎo)體行業(yè)極為罕見，凸顯其“邊建廠、邊投產(chǎn)”的高效策略。

此次提速背后，是長江存儲對全球NAND市場“超級周期”的對應(yīng)布局。當(dāng)前，受AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心及消費(fèi)電子復(fù)蘇推動，NAND Flash供不應(yīng)求。然而，三星、SK海力士、美光等國際大廠正將產(chǎn)能優(yōu)先投向高利潤的HBM和高端DRAM，導(dǎo)致智能手機(jī)、PC等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域供應(yīng)緊張。這為長江存儲提供了寶貴的市場窗口——憑借快速釋放的新增產(chǎn)能，可迅速填補(bǔ)中端市場空缺，擴(kuò)大客戶覆蓋。

數(shù)據(jù)顯示，長江存儲全球市占率已從2024年的9%躍升至2025年第三季度的13%，首次突破10%大關(guān)。若三期項目如期在2026年下半年量產(chǎn)，其市場份額有望沖擊15%以上，進(jìn)一步逼近全球前四。

尤為關(guān)鍵的是，長江存儲的增長并非依賴低價傾銷，而是建立在扎實(shí)的技術(shù)創(chuàng)新之上。其獨(dú)創(chuàng)的Xtacking架構(gòu)已迭代至3.0甚至4.0版本，在3D NAND堆疊層數(shù)、讀寫速度和能效比方面達(dá)到國際一線水平。目前，其產(chǎn)品良率與可靠性獲得客戶高度認(rèn)可，旗下消費(fèi)品牌“致態(tài)”連續(xù)兩年蟬聯(lián)京東SSD品類雙十一大促銷量與GMV冠軍，印證了市場對其品質(zhì)的信任。

在知識產(chǎn)權(quán)方面，長江存儲已積累超11,000項專利，其中絕大多數(shù)為發(fā)明專利。更值得注意的是，連三星電子都曾向其購買用于400層以上3D NAND制造的混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專利，足見其技術(shù)影響力已獲國際巨頭認(rèn)可。

值得強(qiáng)調(diào)的是，這一切成就均是在美國將其列入實(shí)體清單、嚴(yán)格限制美系設(shè)備與材料出口的嚴(yán)峻環(huán)境下取得的。長江存儲通過構(gòu)建“去美化”產(chǎn)線，大量采用國產(chǎn)刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、清洗機(jī)等，成功實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈自主可控。這也得益于近年來中國半導(dǎo)體設(shè)備與材料企業(yè)的快速進(jìn)步，以及NAND Flash本身對極紫外光刻（EUV）等尖端制程依賴較低的特性。