三星電子的晶圓代工業(yè)務(wù)長(zhǎng)期虧損。證券機(jī)構(gòu)估計(jì)，三星晶圓代工部門2025年的營(yíng)業(yè)虧損約為6萬億韓元（約合人民幣288億元）。然而，隨著今年2nm工藝的全面投產(chǎn)，預(yù)計(jì)營(yíng)業(yè)虧損規(guī)模將減少至約3萬億韓元（約合人民幣144億元）。

三星電子宣布計(jì)劃于2026年下半年開始量產(chǎn)2nm先進(jìn)晶圓代工工藝。在1月29日舉行的2025年第四季度財(cái)報(bào)會(huì)議上，三星電子表示：“第二代2nm工藝的研發(fā)進(jìn)展順利，目前已達(dá)到良率和性能目標(biāo)，目標(biāo)是在今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。”

三星電子進(jìn)一步解釋道：“我們正在與主要客戶同步開展產(chǎn)品設(shè)計(jì)的性能、功耗和面積（PPA）評(píng)估和測(cè)試芯片合作，因此量產(chǎn)前的技術(shù)驗(yàn)證工作正按計(jì)劃進(jìn)行。”

三星電子正準(zhǔn)備在美國(guó)得州泰勒新工廠基于2nm工藝進(jìn)行半導(dǎo)體量產(chǎn)。2026年是三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部在美國(guó)運(yùn)營(yíng)的第30個(gè)年頭，該事業(yè)部希望通過得州泰勒晶圓代工廠的投產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新的飛躍。

得州泰勒先進(jìn)晶圓代工廠總投資達(dá)370億美元（約合55萬億韓元），正在建設(shè)3nm及以下的尖端工藝生產(chǎn)線，以滿足人工智能（AI）和自動(dòng)駕駛等高性能計(jì)算（HPC）的需求，目前已進(jìn)入最后的準(zhǔn)備階段，預(yù)計(jì)將于2026年投產(chǎn)。2025年7月，泰勒晶圓廠成功拿下包括特斯拉自動(dòng)駕駛芯片AI6在內(nèi)的訂單，標(biāo)志著三星晶圓代工業(yè)務(wù)的復(fù)蘇。此前，三星晶圓代工業(yè)務(wù)已陷入長(zhǎng)時(shí)間的困境。

然而，全球晶圓代工企業(yè)在美國(guó)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈。

臺(tái)積電率先采取行動(dòng)。在1月15日發(fā)布的2025年第四季度財(cái)報(bào)中，臺(tái)積電公布了其史上規(guī)模最大的投資計(jì)劃，投資額在520億~560億美元之間。

技術(shù)差距也是亟待解決的一大挑戰(zhàn)。三星電子的2nm工藝良率約為50%，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電70%~90%的良率水平。

市場(chǎng)份額差距也顯著擴(kuò)大。2025年，臺(tái)積電占據(jù)全球晶圓代工市場(chǎng)70%的份額，領(lǐng)先第二名三星電子（7%）63個(gè)百分點(diǎn)。美國(guó)政府對(duì)本土企業(yè)英特爾的全力支持，也給三星的晶圓代工業(yè)務(wù)帶來了更大的競(jìng)爭(zhēng)壓力。美國(guó)政府向英特爾投資約89億美元，甚至成為了英特爾的最大股東。

此外，英偉達(dá)也通過向英特爾投資約50億美元進(jìn)行股權(quán)收購(gòu)和技術(shù)合作，為英特爾提供支持。

最近有傳言稱，英偉達(dá)可能會(huì)采用英特爾最先進(jìn)的Intel 14A（1.4nm）工藝來制造其下一代圖形處理器（GPU）架構(gòu)“費(fèi)曼”（Feynman）所需的部分半導(dǎo)體。

分析表明，三星晶圓代工業(yè)務(wù)只有證明其尖端工藝技術(shù)的能力，才能重回正軌。而從特斯拉獲得的訂單量，預(yù)計(jì)將成為檢驗(yàn)三星晶圓代工能力的試驗(yàn)場(chǎng)。

如果三星能夠穩(wěn)定量產(chǎn)采用2nm制程工藝制造的特斯拉AI5芯片，預(yù)計(jì)這將為其贏得更多來自大型科技公司的訂單奠定基礎(chǔ)。

2025年，三星與特斯拉簽署了一份價(jià)值165億美元的半導(dǎo)體供應(yīng)合同，進(jìn)一步提升了其2nm技術(shù)的可靠性。近期有報(bào)道稱，三星正在與谷歌、AMD等公司洽談基于2nm制程工藝的AI芯片量產(chǎn)合作。

此外，三星電子正積極通過“交鑰匙工程”提升自身競(jìng)爭(zhēng)力，提供從半導(dǎo)體設(shè)計(jì)到代工、存儲(chǔ)器和先進(jìn)封裝的一站式解決方案。這被認(rèn)為是三星電子獨(dú)有的強(qiáng)大差異化優(yōu)勢(shì)，而臺(tái)積電則不具備這一優(yōu)勢(shì)。

三星電子晶圓代工事業(yè)部副總裁Kang Seok-chae表示：“我們預(yù)計(jì)今年面向HPC和AI應(yīng)用的2nm工藝訂單項(xiàng)目數(shù)量將比上年增長(zhǎng)130%以上。”

他還提及了1.4nm工藝路線圖。Kang Seok-chae解釋道：“1.4nm制程正在研發(fā)中，目標(biāo)是在2029年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，目前已按計(jì)劃取得重大進(jìn)展。”他補(bǔ)充道：“我們計(jì)劃在2027年下半年向客戶分發(fā)PDK（工藝設(shè)計(jì)套件）1.0版本。”

下一代智能半導(dǎo)體事業(yè)部總監(jiān)（首爾大學(xué)名譽(yù)教授）Kim Hyung-jun解釋道：“美國(guó)的目標(biāo)是將國(guó)內(nèi)芯片生產(chǎn)比例提高到30%左右，很可能希望三星電子能夠填補(bǔ)臺(tái)積電無法滿足的缺口。”他強(qiáng)調(diào)：“確保三星電子的技術(shù)能力迫在眉睫。”