據(jù)報道，三星將停止其位于韓國華城工廠12號生產線的2D NAND閃存生產，該生產線將被改造為末端晶圓廠，用于生產1C DRAM。

該生產線的產能為每月8萬至10萬片12英寸晶圓。消息人士稱，三星去年已通知一位客戶將停止2D NAND閃存的生產。這標志著三星正式停止2D NAND閃存的生產，12號生產線改造為DRAM終端生產線預計將提高華城工廠整體DRAM生產效率。

三星早在2002年就率先在全球范圍內生產了1Gb NAND閃存。此舉使三星一躍成為全球最大的閃存制造商。2013年，三星成功實現(xiàn)了3D V-NAND的生產，標志著NAND閃存從垂直堆疊技術轉型。12號生產線的改造距離三星開始生產2D NAND已有24年，距離開始生產3D NAND也有13年之久。

在第四季度財報電話會議上，三星表示計劃將傳統(tǒng)工藝升級為先進工藝，其中包括停止生產平面NAND閃存。

同時，三星正在加大投入，以提高其華城和平澤工廠的1c DRAM產能。平澤工廠的P4生產線最初設計用于DRAM、NAND閃存和晶圓代工，但現(xiàn)在正在進行改造，專注于DRAM生產。

華城工廠的其他DRAM生產線也在進行改造，以生產1c DRAM。這意味著1c DRAM的產量預計將占三星DRAM總產能的很大一部分。