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SK海力士全球首發1c工藝LPDDR6,性能狂飆33%

2026-03-10 來源:電子工程專輯
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關鍵詞: SK海力士 LPDDR6 DRAM內存 10納米級工藝

3月10日,韓國存儲巨頭SK海力士正式宣布,成功基于其最先進的第六代10納米級(1c)工藝,開發出全球首款16Gb LPDDR6 DRAM內存產品。

該公司表示,目前已完成該產品的開發驗證工作,計劃于2026年上半年全面完成量產準備,并于下半年正式啟動供貨。這將進一步豐富SK海力士面向AI應用優化的DRAM產品線,鞏固其在高端移動存儲市場的領導地位。

LPDDR(低功耗雙倍數據速率)內存一直是移動設備的“心臟”,其性能直接決定了設備的響應速度與續航能力。從LPDDR1到LPDDR5X,每一代標準的迭代都伴隨著移動生態的繁榮。而此次LPDDR6的問世,則是為了應對生成式AI在端側部署帶來的嚴苛挑戰。

SK海力士此次采用的1c(1γ)工藝節點,是其第六代10納米級DRAM制造技術。相比競爭對手三星電子目前采用的12納米制程,SK海力士在制程微縮上顯然快人一步。這種先進的工藝不僅提升了晶體管的密度,更為降低功耗和提升速度奠定了物理基礎。

根據官方公布的數據,這款1c LPDDR6產品在關鍵指標上實現了對上一代LPDDR5X的全面超越。

在速度方面,得益于帶寬的大幅擴展和單位時間內數據傳輸量的激增,新產品的數據處理速度較LPDDR5X提升了33%。其基礎工作速度已突破10.7 Gbps,而其單引腳傳輸速率更是高達14.4 Gbps。這一數值對應了JEDEC規范中LPDDR6標準的最高速檔,意味著SK海力士在標準頻率范圍內已近乎“跑滿”極限。

在能效方面,面對移動設備對續航的極致追求,SK海力士引入了兩項關鍵技術:子通道結構與DVFS(動態電壓頻率調整)技術。子通道結構允許芯片選擇性僅激活必要的數據路徑,避免了無效功耗;而DVFS技術則能根據芯片實時的運行環境,動態調整電壓與頻率。

“這是一種智能的功耗管理策略,”SK海力士技術人員解釋道,“在高規格游戲或端側大模型推理等高性能場景下,設備可自動提升DVFS等級以釋放最大帶寬性能;而在日常瀏覽、待機低功耗場景中,則自動降低頻率與電壓,從而節省每一分電量。”實測數據顯示,新一代產品的整體功耗較前代降低了超過20%。

隨著SK海力士細節的披露,三星的壓力隨之而來。相比之下,三星16Gb LPDDR6速率為12.8Gbps。三星本代產品采用12nm制程,略次于SK海力士的10nm級別,但三星強調其新一代LPDDR6相較前代LPDDR5X可實現21%的能效提升。此外,三星LPDDR6使用NRZ信號進行I/O傳輸,并采用12DQ子通道架構。

業內分析指出,LPDDR6的量產不僅僅是參數的提升,更是端側AI普及的關鍵基礎設施。隨著手機端側大模型、實時視頻處理、高幀率云游戲等應用的爆發,傳統內存帶寬已成為瓶頸。LPDDR6提供的超高帶寬和超低功耗,將使得在手機本地運行更復雜的AI模型成為可能,同時保證設備不發燙、不掉電。

SK海力士表示,隨著下半年正式供貨,這款內存將迅速被旗艦智能手機和高端平板電腦采納。