英諾賽科（珠海）科技有限公司為ASML光刻機(jī)成功導(dǎo)入8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線(xiàn)舉辦了慶典。英諾賽科于2021年引入ASML光刻機(jī)，憑借著其卓越的成像性能和獨(dú)特的TWINSCAN架構(gòu)（雙晶圓工件平臺(tái)），英諾賽科進(jìn)一步提升了硅基氮化鎵功率器件制造的產(chǎn)能及產(chǎn)線(xiàn)良率。此次慶典上，ASML副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理沈波代表ASML被英諾賽科授予“最佳戰(zhàn)略合作伙伴”稱(chēng)號(hào)。

近年來(lái)，相較傳統(tǒng)硅材料，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 等第三代半導(dǎo)體，以其更小尺寸、更高轉(zhuǎn)換頻率、更高功率密度等特點(diǎn)，逐漸成為了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新焦點(diǎn)。此新材料可滿(mǎn)足節(jié)能、減排、智能制造等全球戰(zhàn)略需求。氮化鎵是“第三代半導(dǎo)體”關(guān)鍵材料之一，具有廣闊的市場(chǎng)前景，可滲透到包括消費(fèi)、工業(yè)和汽車(chē)類(lèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域。作為全球領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵芯片制造商（IDM），英諾賽科一直致力于推動(dòng)第三代半導(dǎo)體制造技術(shù)的創(chuàng)新和革命。