近日，根據(jù)外媒 VideoCardz 報(bào)道，英特爾今日發(fā)表文章，公布了突破摩爾定律的三種新技術(shù)。這些技術(shù)的目標(biāo)是在 2025 年之后，還能夠使得芯片技術(shù)繼續(xù)發(fā)展。

據(jù)公開(kāi)資料顯示，在 2021 年 IEEE 國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議上，英特爾公布了多芯片混合封裝互聯(lián)密度提高 10 倍、晶體管密度提升 30％－50％、新的電源和存儲(chǔ)器技術(shù)以及量子計(jì)算芯片技術(shù)等等。

英特爾闡述了目前已經(jīng)公布的一些創(chuàng)新技術(shù)，包括 Hi－K 金屬柵極、FinFET 晶體管、RibbonFET 等。在路線(xiàn)圖中，英特爾還展現(xiàn)了多種芯片工藝，其中包括 Intel 20A 制程，將邏輯門(mén)的體積進(jìn)一步縮小，名為 Gate All Around。

專(zhuān)家表示，截至最新，英特爾及其關(guān)聯(lián)公司在126個(gè)國(guó)家／地區(qū)中，共有27萬(wàn)余件專(zhuān)利申請(qǐng)，其中與芯片直接相關(guān)的專(zhuān)利有約11602件。對(duì)直接相關(guān)的芯片專(zhuān)利而言，從專(zhuān)利趨勢(shì)上來(lái)看，2002年到2010年，英特爾專(zhuān)利申請(qǐng)量較為平穩(wěn)，而2011年英特爾的芯片專(zhuān)利申請(qǐng)有小爆發(fā)。

就Ribbon直接相關(guān)專(zhuān)利技術(shù)而言，英特爾有51組上述領(lǐng)域直接相關(guān)專(zhuān)利申請(qǐng)，英特爾在上述領(lǐng)域的專(zhuān)利申請(qǐng)十分分散，近幾年的年專(zhuān)利申請(qǐng)都不到10件，該領(lǐng)域的技術(shù)主要是和晶體管以及半導(dǎo)體相關(guān)。