3月8日?qǐng)?bào)道，摩根士丹利發(fā)布報(bào)告指出，根據(jù)臺(tái)積電退休工程師的說法，得知臺(tái)積電即將完成其改進(jìn)版3納米工藝N3E的開發(fā)，將在3月底前完成N3E制程設(shè)計(jì)流程。這意味著該制程有望于2023年第二季度投入量產(chǎn)，較此前計(jì)劃的2023年第三季度提前一個(gè)季度。

N3E的晶體管數(shù)量雖然比第一代3nm制程減少約8%，但仍較5nm制程提升了約60%，且減少了4層EUV光罩，使N3E將成為臺(tái)積電更具成本及生產(chǎn)效率優(yōu)勢(shì)的重要節(jié)點(diǎn)。其他信息還包括：N3E工藝試產(chǎn)良率遠(yuǎn)高于N3B，在減少4層EUV掩膜的情況下，邏輯電路密度僅較原先的N3工藝下降 8%，較5納米節(jié)點(diǎn)仍有60%的提升。