東芝推出第3代650V SiC肖特基勢壘二極管，助力提高工業設備效率
2023-07-13
來源：華強電子網
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工業設備的碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款產品（均為650V）中有7款產品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開始支持批量出貨。
新產品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬，優化了第2代產品的結勢壘肖特基（JBS）結構[2]。它們實現業界領先[3]的1.2V（典型值）低正向電壓，比上一代的1.45V（典型值）低17%。此外，新產品還在正向電壓與總電容電荷之間以及正向電壓與反向電流之間取得了平衡，從而在降低了功耗的同時提高了設備效率。
應用
- 開關電源
- 電動汽車充電樁
- 光伏逆變器
特性
- 業界領先[3]的低正向電壓：VF＝1.2V（典型值）（IF＝IF(DC)）
- 低反向電流：TRS6E65H IR＝1.1μA（典型值）（VR＝650V）
- 低總電容電荷：TRS6E65H QC＝17nC（典型值）（VR＝400V，f＝1MHz）
主要規格
（除非另有說明，Ta＝25℃）
注：
[1] 截至2023年7月。
[2] JBS結構可降低肖特基界面處的電場，從而減小了漏電流。
[3] 截至2023年7月的東芝調查。
